含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010337090.9

申请日：

2020-04-24

公开(公告)号：

CN111490453B

公开(公告)日：

2020-08-04

发明(设计)人：

侯玉菲赵德刚梁锋

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S520

IPC分类号：

H01S530 H01S5343

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴梦圆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/20 申请日:20200424
2020-08-04	公开	公开
2021-08-31	授权	授权

共 50 条

[1]

GaN基激光器及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

张和伟 ;

郭志友 .

中国专利 :CN109346923A ,2019-02-15

[2]

GaN基激光器及其制备方法 [P].

赵德刚 ;

梁锋 .

中国专利 :CN107204567B ,2017-09-26

[3]

GaN基激光器及提高GaN基激光器光束质量的方法 [P].

张书明 ;

冯美鑫 ;

孙钱 .

中国专利 :CN118073963A ,2024-05-24

[4]

单金属波导GaN基太赫兹量子级联激光器及其制备方法 [P].

王科 ;

姚齐 ;

曾繁泰 ;

成毅凡 ;

曹雷 ;

张荣 .

中国专利 :CN119602083A ,2025-03-11

[5]

一种具有模式选择下波导层的GaN基半导体激光器 [P].

郑锦坚 ;

寻飞林 ;

蓝家彬 ;

李晓琴 ;

邓和清 ;

张会康 ;

黄军 ;

蔡鑫 ;

张江勇 ;

李水清 .

中国专利 :CN119542914A ,2025-02-28

[6]

GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法 [P].

邢瑶 ;

赵德刚 ;

江德生 ;

刘宗顺 ;

陈平 ;

朱建军 ;

杨静 .

中国专利 :CN107069433A ,2017-08-18

[7]

一种GaN基激光器及其制备方法 [P].

王国斌 ;

王阳 .

中国专利 :CN116111455B ,2024-12-13

[8]

FP腔GaN基激光器及其制作方法 [P].

张琪 ;

张书明 ;

李德尧 ;

刘建平 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN111146689A ,2020-05-12

[9]

一种制备新型GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器 [P].

贾传宇 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN104319631A ,2015-01-28

[10]

一种GaN基蓝光激光器及其制备方法 [P].

杨兰 ;

印新达 ;

周志学 ;

张振峰 .

中国专利 :CN121172565A ,2025-12-19

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