一种GaN基蓝光激光器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511707771.9

申请日：

2025-11-20

公开(公告)号：

CN121172565A

公开(公告)日：

2025-12-19

发明(设计)人：

杨兰印新达周志学张振峰

申请人：

武汉鑫威源电子科技有限公司

申请人地址：

430200 湖北省武汉市江夏区大桥新区办事处山湖路15号2-101

IPC主分类号：

H01S5/20

IPC分类号：

H01S5/042 H01S5/343

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

吴静

法律状态：

公开

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种GaN基蓝光激光器外延结构及其制备方法 [P].

杨兰 ;

印新达 ;

周志学 ;

张振峰 .

中国专利 :CN121172564A ,2025-12-19

[2]

GaN基激光器及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

张和伟 ;

郭志友 .

中国专利 :CN109346923A ,2019-02-15

[3]

一种蓝光激光器及其制备方法 [P].

徐兆花 ;

徐兆国 ;

王培臣 .

中国专利 :CN100563066C ,2008-07-30

[4]

GaN基激光器及其制备方法 [P].

赵德刚 ;

梁锋 .

中国专利 :CN107204567B ,2017-09-26

[5]

一种GaN基蓝光半导体激光器芯片 [P].

陈呈杰 ;

郑锦坚 ;

蓝家彬 ;

蔡鑫 ;

陈婉君 ;

李晓琴 ;

寻飞林 ;

邓和清 ;

张江勇 ;

李水清 .

中国专利 :CN120073469A ,2025-05-30

[6]

GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法 [P].

邢瑶 ;

赵德刚 ;

江德生 ;

刘宗顺 ;

陈平 ;

朱建军 ;

杨静 .

中国专利 :CN107069433A ,2017-08-18

[7]

一种制备新型GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器 [P].

贾传宇 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN104319631A ,2015-01-28

[8]

一种GaN基激光器及其制备方法 [P].

王国斌 ;

王阳 .

中国专利 :CN116111455B ,2024-12-13

[9]

一种GaN基半导体激光器 [P].

邓和清 ;

郑锦坚 ;

寻飞林 ;

李水清 ;

张江勇 ;

李晓琴 ;

蓝家彬 ;

蔡鑫 ;

张会康 ;

黄军 .

中国专利 :CN118412743A ,2024-07-30

[10]

氮化镓基激光器及其制备方法 [P].

梁锋 ;

赵德刚 ;

杨静 ;

朱建军 ;

刘宗顺 ;

陈平 .

中国专利 :CN112134143B ,2020-12-25

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