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一种GaN基蓝光激光器外延结构及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511707417.6
申请日：
2025-11-20
公开(公告)号：
CN121172564A
公开(公告)日：
2025-12-19
发明(设计)人：
杨兰 印新达 周志学 张振峰
申请人：
武汉鑫威源电子科技有限公司
申请人地址：
430200 湖北省武汉市江夏区大桥新区办事处山湖路15号2-101
IPC主分类号：
H01S5/20
IPC分类号：
H01S5/042 H01S5/343
代理机构：
北京汇泽知识产权代理有限公司 11228
代理人：
吴静
法律状态：
公开
国省代码：
河北省 石家庄市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-19 公开 公开
共 50 条
[1]
一种GaN基蓝光激光器及其制备方法 [P]. 
杨兰 ;
印新达 ;
周志学 ;
张振峰 .
中国专利 :CN121172565A ,2025-12-19
[2]
一种蓝光激光器及其制备方法 [P]. 
徐兆花 ;
徐兆国 ;
王培臣 .
中国专利 :CN100563066C ,2008-07-30
[3]
GaN基激光器及其制备方法 [P]. 
孙慧卿 ;
张和伟 ;
郭志友 .
中国专利 :CN109346923A ,2019-02-15
[4]
GaN基激光器及其制备方法 [P]. 
赵德刚 ;
梁锋 .
中国专利 :CN107204567B ,2017-09-26
[5]
蓝光激光器及其制备方法、以及外延结构的制备方法 [P]. 
杨兰 ;
印新达 ;
张振峰 ;
齐林 .
中国专利 :CN118174142B ,2024-08-30
[6]
蓝光激光器及其制备方法、以及外延结构的制备方法 [P]. 
杨兰 ;
印新达 ;
张振峰 ;
齐林 .
中国专利 :CN118174142A ,2024-06-11
[7]
一种GaN基蓝光半导体激光器芯片 [P]. 
陈呈杰 ;
郑锦坚 ;
蓝家彬 ;
蔡鑫 ;
陈婉君 ;
李晓琴 ;
寻飞林 ;
邓和清 ;
张江勇 ;
李水清 .
中国专利 :CN120073469A ,2025-05-30
[8]
一种制备新型GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器 [P]. 
贾传宇 ;
张国义 ;
童玉珍 .
中国专利 :CN104319631A ,2015-01-28
[9]
一种纳米线激光器外延结构及其制备方法 [P]. 
董海亮 ;
许并社 ;
贾志刚 ;
张爱琴 ;
屈凯 ;
李天保 ;
梁建 .
中国专利 :CN109904723A ,2019-06-18
[10]
DFB激光器外延结构及其制备方法 [P]. 
单智发 ;
张永 .
中国专利 :CN109510063A ,2019-03-22
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