蓝光激光器及其制备方法、以及外延结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410591837.1

申请日：

2024-05-14

公开(公告)号：

CN118174142A

公开(公告)日：

2024-06-11

发明(设计)人：

杨兰印新达张振峰齐林

申请人：

武汉鑫威源电子科技有限公司

申请人地址：

430200 湖北省武汉市江夏区大桥新区办事处山湖路15号2-101

IPC主分类号：

H01S5/343

IPC分类号：

H01S5/34

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

吴俣

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-30	授权	授权
2024-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/343申请日:20240514
2024-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

蓝光激光器及其制备方法、以及外延结构的制备方法 [P].

杨兰 ;

印新达 ;

张振峰 ;

齐林 .

中国专利 :CN118174142B ,2024-08-30

[2]

一种GaN基蓝光激光器外延结构及其制备方法 [P].

杨兰 ;

印新达 ;

周志学 ;

张振峰 .

中国专利 :CN121172564A ,2025-12-19

[3]

DFB激光器外延结构及其制备方法 [P].

单智发 ;

张永 .

中国专利 :CN109510063A ,2019-03-22

[4]

一种蓝光激光器及其制备方法 [P].

徐兆花 ;

徐兆国 ;

王培臣 .

中国专利 :CN100563066C ,2008-07-30

[5]

蓝光边发射激光器及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

李书朋 ;

郭志友 .

中国专利 :CN109378708B ,2019-02-22

[6]

激光器芯片及其制备方法 [P].

程成 ;

许海明 .

中国专利 :CN119965673A ,2025-05-09

[7]

半导体激光器的外延结构及其制备方法 [P].

刘育衔 ;

吴文俊 ;

唐松 ;

杨国文 .

中国专利 :CN120109650B ,2025-09-02

[8]

半导体激光器的外延结构及其制备方法 [P].

刘育衔 ;

吴文俊 ;

唐松 ;

杨国文 .

中国专利 :CN120728370A ,2025-09-30

[9]

半导体激光器的外延结构及其制备方法 [P].

刘育衔 ;

吴文俊 ;

唐松 ;

杨国文 .

中国专利 :CN120109650A ,2025-06-06

[10]

一种DFB激光器的外延结构及其制备方法 [P].

单智发 .

中国专利 :CN106410606B ,2017-02-15

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