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半导体激光器的外延结构及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510914690.X
申请日：
2025-05-09
公开(公告)号：
CN120728370A
公开(公告)日：
2025-09-30
发明(设计)人：
刘育衔 吴文俊 唐松 杨国文
申请人：
度亘核芯光电技术（苏州）股份有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号东北区32幢
IPC主分类号：
H01S5/343
IPC分类号：
C30B29/40 C30B25/16
代理机构：
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人：
方晓燕
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-30 公开 公开
2025-10-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/343申请日:20250509
共 50 条
[1]
半导体激光器的外延结构及其制备方法 [P]. 
刘育衔 ;
吴文俊 ;
唐松 ;
杨国文 .
中国专利 :CN120109650B ,2025-09-02
[2]
半导体激光器的外延结构及其制备方法 [P]. 
刘育衔 ;
吴文俊 ;
唐松 ;
杨国文 .
中国专利 :CN120109650A ,2025-06-06
[3]
半导体激光器的外延结构及半导体激光器的制备方法 [P]. 
陈熙 ;
许东 ;
夏宇 ;
张名龙 .
中国专利 :CN117543340A ,2024-02-09
[4]
一种半导体激光器外延结构的制备方法及半导体激光器 [P]. 
郭丽彬 ;
周大勇 ;
杨慧永 ;
祝曾伟 ;
顾俊 ;
赵文超 .
中国专利 :CN117080869B ,2024-01-02
[5]
GaAs半导体激光器外延片及其制备方法 [P]. 
于颖 ;
吴德华 ;
赵凯迪 ;
朱凯 ;
贾鑫 .
中国专利 :CN120638033A ,2025-09-12
[6]
半导体结构及其制备方法、半导体激光器 [P]. 
周少丰 ;
吕天健 ;
丁亮 ;
罗军波 ;
方子勋 .
中国专利 :CN121055151A ,2025-12-02
[7]
半导体激光器结构及其制备方法 [P]. 
周寅利 ;
慕京飞 ;
张建伟 ;
陈超 ;
刘天娇 ;
张卓 ;
宁永强 ;
王立军 .
中国专利 :CN120184733A ,2025-06-20
[8]
一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器 [P]. 
龚平 ;
刘邦 ;
夏天文 ;
吴旗召 ;
杨宇博 .
中国专利 :CN115189232B ,2024-04-16
[9]
半导体激光器及半导体激光器的制备方法 [P]. 
王予晓 ;
谭少阳 ;
王俊 ;
邵烨 ;
李刘晶 .
中国专利 :CN119182046A ,2024-12-24
[10]
半导体激光器及半导体激光器的制备方法 [P]. 
赖锦锋 ;
张利斌 .
中国专利 :CN114552370A ,2022-05-27
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