GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510783197.5

申请日：

2015-11-16

公开(公告)号：

CN106711764A

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

孙钱冯美鑫周宇杨辉池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-05	授权	授权
2017-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727777402 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2015107831975 申请日:20151116
2017-05-24	公开	公开

共 50 条

[1]

超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法 [P].

高雪 ;

周坤 ;

孙逸 ;

冯美鑫 ;

刘建平 ;

孙钱 ;

张书明 ;

李德尧 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106898948A ,2017-06-27

[2]

氮化物超辐射发光二极管及其制备方法 [P].

孙逸 ;

孙钱 ;

刘建平 ;

张书明 ;

张立群 ;

李德尧 ;

杨辉 .

中国专利 :CN105762236B ,2016-07-13

[3]

GaN基超辐射发光二极管的外延结构及其应用 [P].

刘建平 ;

熊巍 ;

胡磊 ;

田爱琴 ;

杨辉 .

中国专利 :CN111816737A ,2020-10-23

[4]

超辐射发光二极管及其制作方法 [P].

周志强 ;

刘建军 ;

唐琦 .

中国专利 :CN103022897A ,2013-04-03

[5]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257A ,2022-07-08

[6]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257B ,2025-04-18

[7]

发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器 [P].

孟志国 ;

吴春亚 ;

熊绍珍 ;

李娟 .

中国专利 :CN101246942A ,2008-08-20

[8]

发光装置、超辐射发光二极管及投影器 [P].

望月理光 ;

名川伦郁 .

中国专利 :CN103943765A ,2014-07-23

[9]

超辐射发光二极管及其制作方法 [P].

罗绍迪 ;

周志强 ;

黄晓鸣 ;

刘永康 .

中国专利 :CN117374179A ,2024-01-09

[10]

超辐射发光二极管的制备方法及超辐射发光二极管 [P].

张建宝 ;

李林森 .

中国专利 :CN117767102A ,2024-03-26

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