GaN基超辐射发光二极管的外延结构及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010909794.9

申请日：

2020-09-02

公开(公告)号：

CN111816737A

公开(公告)日：

2020-10-23

发明(设计)人：

刘建平熊巍胡磊田爱琴杨辉

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3332

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20200902
2022-12-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20201023
2020-10-23	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257A ,2022-07-08

[2]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257B ,2025-04-18

[3]

超辐射发光二极管 [P].

姚中辉 ;

罗伟 ;

杨国文 .

中国专利 :CN117393666B ,2024-03-22

[4]

超辐射发光二极管 [P].

姚中辉 ;

罗伟 ;

杨国文 .

中国专利 :CN117393666A ,2024-01-12

[5]

GaN基发光二极管外延结构 [P].

卢国军 ;

游正璋 .

中国专利 :CN110635004A ,2019-12-31

[6]

GaN基发光二极管外延结构 [P].

游正璋 ;

卢国军 .

中国专利 :CN110635003A ,2019-12-31

[7]

GaN基发光二极管外延结构 [P].

游正璋 ;

马后永 .

中国专利 :CN110635006A ,2019-12-31

[8]

GaN基发光二极管外延片 [P].

丁涛 ;

周飚 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN209561451U ,2019-10-29

[9]

GaN基发光二极管外延片及GaN基发光二极管 [P].

李鹏 ;

张翼 .

中国专利 :CN203659912U ,2014-06-18

[10]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109768127A ,2019-05-17

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