生成具有光发射和/或光接收二极管的器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911281854.0

申请日：

2019-12-13

公开(公告)号：

CN111326613A

公开(公告)日：

2020-06-23

发明(设计)人：

加布里尔·帕瑞斯

申请人：

申请人地址：

法国巴黎

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3118 H01L3344 H01L3346 H01L310216 H01L310232 H01L27144 H01L2715

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

张玮;王琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20191213
2020-06-23	公开	公开

共 50 条

[1]

生成具有光发射和/或光接收二极管的器件的方法 [P].

加布里尔·帕瑞斯 .

法国专利 :CN111326613B ,2024-04-30

[2]

光发射和/或光接收二极管阵列器件 [P].

阿德里安·加斯 ;

卢多维奇·杜普瑞 ;

玛丽安·康松尼 .

中国专利 :CN113497161A ,2021-10-12

[3]

用于制作光发射二极管或光接收二极管的方法 [P].

L·杜普来 ;

H·富尼耶 ;

F·亨利 .

中国专利 :CN112736165A ,2021-04-30

[4]

用于制作光发射二极管或光接收二极管的方法 [P].

L·杜普来 ;

H·富尼耶 ;

F·亨利 .

法国专利 :CN112736165B ,2025-04-15

[5]

改进的光发射二极管 [P].

H·刘 ;

X·程 .

中国专利 :CN1516901A ,2004-07-28

[6]

光发射二极管灯和光发射二极管显示设备 [P].

徐胜明 .

中国专利 :CN1812148A ,2006-08-02

[7]

光接收二极管结构 [P].

张暐 ;

林宗緯 .

中国专利 :CN2845172Y ,2006-12-06

[8]

光接收二极管的改进结构 [P].

张暐 ;

陈怀辅 ;

黄仕杰 .

中国专利 :CN200941384Y ,2007-08-29

[9]

光发射二极管结构 [P].

张暐 ;

黄仕杰 ;

陈怀辅 .

中国专利 :CN200959340Y ,2007-10-10

[10]

具有内置旁路二极管的光伏模块和用于制造具有内置旁路二极管的光伏模块的方法 [P].

K·考克力 ;

G·哈森 ;

J·斯特芬斯 .

中国专利 :CN103155173A ,2013-06-12

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