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光发射和/或光接收二极管阵列器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110368589.0
申请日：
2021-04-06
公开(公告)号：
CN113497161A
公开(公告)日：
2021-10-12
发明(设计)人：
阿德里安·加斯 卢多维奇·杜普瑞 玛丽安·康松尼
申请人：
申请人地址：
法国巴黎
IPC主分类号：
H01L3112
IPC分类号：
H01L2516 H01L3102 H01L3118
代理机构：
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人：
江海;姚开丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-10-12 公开 公开
共 50 条
[1]
用于制作光发射二极管或光接收二极管的方法 [P]. 
L·杜普来 ;
H·富尼耶 ;
F·亨利 .
中国专利 :CN112736165A ,2021-04-30
[2]
用于制作光发射二极管或光接收二极管的方法 [P]. 
L·杜普来 ;
H·富尼耶 ;
F·亨利 .
法国专利 :CN112736165B ,2025-04-15
[3]
生成具有光发射和/或光接收二极管的器件的方法 [P]. 
加布里尔·帕瑞斯 .
法国专利 :CN111326613B ,2024-04-30
[4]
生成具有光发射和/或光接收二极管的器件的方法 [P]. 
加布里尔·帕瑞斯 .
中国专利 :CN111326613A ,2020-06-23
[5]
光发射二极管灯和光发射二极管显示设备 [P]. 
徐胜明 .
中国专利 :CN1812148A ,2006-08-02
[6]
光接收二极管结构 [P]. 
张暐 ;
林宗緯 .
中国专利 :CN2845172Y ,2006-12-06
[7]
改进的光发射二极管 [P]. 
H·刘 ;
X·程 .
中国专利 :CN1516901A ,2004-07-28
[8]
光发射二极管结构 [P]. 
张暐 ;
黄仕杰 ;
陈怀辅 .
中国专利 :CN200959340Y ,2007-10-10
[9]
光二极管阵列结构 [P]. 
周文隆 ;
朱倪廷 ;
王琼徵 .
中国专利 :CN201490193U ,2010-05-26
[10]
激光二极管和激光二极管器件 [P]. 
仓本大 ;
浅野竹春 .
中国专利 :CN100539331C ,2007-03-21
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