半导体薄膜及其制造方法以及使用该薄膜的太阳能电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99104304.9

申请日：

1999-03-24

公开(公告)号：

CN1230031A

公开(公告)日：

1999-09-29

发明(设计)人：

桥本泰宏根上卓之和田隆博林茂生

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L310264

IPC分类号：

H01L31042 H01L31078 H01L3118

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

魏金玺;杨丽琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-09-29	公开	公开
2004-06-30	授权	授权
2001-05-23	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2019-03-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/0264 申请日:19990324 授权公告日:20040630 终止日期:20180324

共 50 条

[1]

有机薄膜太阳能电池半导体薄膜及其形成方法、制造方法 [P].

王式禹 ;

黄炳综 ;

许秀治 ;

蓝钏漫 .

中国专利 :CN101582486A ,2009-11-18

[2]

集成薄膜太阳能电池及其制造方法 [P].

栉屋胜巳 ;

田知行宗赖 .

中国专利 :CN1918711A ,2007-02-21

[3]

薄膜太阳能电池模块及其制造方法 [P].

屋敷保聪 ;

折田泰 ;

今村谦 .

中国专利 :CN103426952A ,2013-12-04

[4]

薄膜太阳能电池及其制造方法 [P].

山林弘也 ;

时冈秀忠 ;

山向干雄 .

中国专利 :CN102089884A ,2011-06-08

[5]

薄膜太阳能电池及其制造方法 [P].

津田祐树 ;

西川祐介 .

中国专利 :CN103053033B ,2013-04-17

[6]

薄膜太阳能电池及其制造方法 [P].

杉本广纪 .

中国专利 :CN103765606A ,2014-04-30

[7]

薄膜太阳能电池及其制造方法 [P].

古畑武夫 ;

仲村惠右 .

中国专利 :CN102473748B ,2012-05-23

[8]

化合物半导体薄膜太阳能电池及其制造方法 [P].

张毅闻 ;

山田明 .

中国专利 :CN103443929A ,2013-12-11

[9]

薄膜太阳能电池的制造装置和方法以及薄膜太阳能电池 [P].

菊池正志 ;

增田淳 ;

近藤道雄 .

中国专利 :CN102105990A ,2011-06-22

[10]

薄膜型太阳能电池的制造方法 [P].

李昌浩 ;

康萤同 ;

李炫灏 ;

李龙炫 ;

金善明 .

中国专利 :CN101752463A ,2010-06-23

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