金属硅化物层及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710094566.5

申请日：

2007-12-13

公开(公告)号：

CN101459075A

公开(公告)日：

2009-06-17

发明(设计)人：

杨瑞鹏胡宇慧聂佳相

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

H01L2128 C23C1642 C23C1652

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-17	公开	公开
2012-04-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101315922422 IPC(主分类):H01L 21/3205 专利申请号:2007100945665 公开日:20090617

共 50 条

[1]

具有金属硅化物层的半导体器件的制造方法 [P].

尹孝根 .

中国专利 :CN1959956A ,2007-05-09

[2]

包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法 [P].

M.勒斯纳 ;

G.施特兰茨尔 .

中国专利 :CN110504233A ,2019-11-26

[3]

包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法 [P].

M.勒斯纳 ;

G.施特兰茨尔 .

德国专利 :CN110504233B ,2025-04-29

[4]

包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法 [P].

郑钟基 .

中国专利 :CN102044424A ,2011-05-04

[5]

半导体器件中金属硅化物接触的制造方法 [P].

胡宇慧 ;

杨瑞鹏 .

中国专利 :CN101140871B ,2008-03-12

[6]

半导体器件及其金属硅化物分离结构制造方法 [P].

申靖浩 ;

熊文娟 ;

蒋浩杰 ;

李亭亭 ;

罗英 .

中国专利 :CN111900161A ,2020-11-06

[7]

具有金属硅化物薄膜的半导体器件及制造方法 [P].

深濑匡 ;

松尾真 .

中国专利 :CN1122311C ,1999-09-15

[8]

金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件 [P].

曾翔 ;

蔡彬 ;

陈昊瑜 ;

黄冠群 ;

齐瑞生 .

中国专利 :CN120417391A ,2025-08-01

[9]

具有金属硅化物的半导体器件及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121099683A ,2025-12-09

[10]

具有金属硅化物的半导体结构及形成金属硅化物的方法 [P].

李秋德 .

中国专利 :CN101562151A ,2009-10-21

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