金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510559398.0

申请日：

2025-04-29

公开(公告)号：

CN120417391A

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

曾翔蔡彬陈昊瑜黄冠群齐瑞生

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

201314 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

H10B43/30

IPC分类号：

H10D62/10 H10D64/01 H01L21/311

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

侯素芹

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-01	公开	公开
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 43/30申请日:20250429

共 50 条

[1]

金属硅化物阻挡层的形成方法 [P].

王卉 ;

康军 ;

令海阳 .

中国专利 :CN102543716B ,2012-07-04

[2]

金属硅化物阻挡结构的形成方法及半导体器件 [P].

毛刚 ;

王家佳 .

中国专利 :CN101295662A ,2008-10-29

[3]

一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

张伟 ;

赫文振 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 .

中国专利 :CN120857584A ,2025-10-28

[4]

一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

张伟 ;

赫文振 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 .

中国专利 :CN120857584B ,2025-12-12

[5]

金属硅化物层形成方法、半导体器件及芯片 [P].

邵瑾 ;

吴波 ;

刘芳 ;

王江红 ;

陶然 ;

吴永玉 ;

邓永峰 ;

郁文 ;

米朝勇 .

中国专利 :CN119812096A ,2025-04-11

[6]

金属硅化物层的形成方法、半导体器件及其形成方法 [P].

张玉贵 ;

方建智 ;

彭康钧 ;

林群证 .

中国专利 :CN110676162B ,2020-01-10

[7]

金属硅化物层及半导体器件的制造方法 [P].

杨瑞鹏 ;

胡宇慧 ;

聂佳相 .

中国专利 :CN101459075A ,2009-06-17

[8]

金属硅化物阻挡结构形成方法 [P].

石小兵 ;

奚裴 .

中国专利 :CN101834131A ,2010-09-15

[9]

具有金属硅化物层的半导体器件的制造方法 [P].

尹孝根 .

中国专利 :CN1959956A ,2007-05-09

[10]

阻挡层的形成方法和半导体器件 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137549A ,2013-06-05

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