金属硅化物阻挡层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210061075.1

申请日：

2012-03-09

公开(公告)号：

CN102543716B

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

王卉康军令海阳

申请人：

申请人地址：

201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21314

IPC分类号：

H01L21316 H01L21311

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701237286 IPC(主分类):H01L 21/314 专利申请号:2012100610751 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140504
2017-03-01	授权	授权
2012-07-04	公开	公开
2014-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586801854 IPC(主分类):H01L 21/314 专利申请号:2012100610751 申请日:20120309

共 50 条

[1]

金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件 [P].

曾翔 ;

蔡彬 ;

陈昊瑜 ;

黄冠群 ;

齐瑞生 .

中国专利 :CN120417391A ,2025-08-01

[2]

金属硅化物阻挡层的表面处理方法 [P].

顾梅梅 ;

张景春 ;

陈建维 ;

张旭升 .

中国专利 :CN103451620A ,2013-12-18

[3]

金属硅化物阻挡层薄膜的沉积方法 [P].

徐强 ;

毛智彪 .

中国专利 :CN102703879A ,2012-10-03

[4]

金属硅化物形成方法 [P].

孙晓峰 ;

高永亮 ;

丁海滨 .

中国专利 :CN102915918A ,2013-02-06

[5]

形成金属硅化物层的方法和由此形成的金属硅化物层 [P].

任·何 ;

马克西米利安·克莱蒙斯 ;

石美仪 ;

于敏锐 ;

本切基·梅巴基 ;

梅裕尔·B·奈克 ;

殷正操 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 .

中国专利 :CN110349838A ,2019-10-18

[6]

金属硅化物层的形成方法 [P].

杨淋淋 ;

吴坚 ;

张贵军 .

中国专利 :CN113205994B ,2021-08-03

[7]

金属硅化物的形成方法 [P].

徐强 .

中国专利 :CN102456556A ,2012-05-16

[8]

金属硅化物的形成方法 [P].

陈勇 ;

徐强 ;

唐兆云 .

中国专利 :CN102456557A ,2012-05-16

[9]

金属硅化物阻挡结构形成方法 [P].

石小兵 ;

奚裴 .

中国专利 :CN101834131A ,2010-09-15

[10]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

胡启民 ;

王龙鑫 ;

向超 ;

范晓 .

中国专利 :CN113223948B ,2021-08-06

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