金属硅化物阻挡层薄膜的沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210158842.0

申请日：

2012-05-22

公开(公告)号：

CN102703879A

公开(公告)日：

2012-10-03

发明(设计)人：

徐强毛智彪

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

C23C1644

IPC分类号：

C23C1642 C23C1640 C23C1656

代理机构：

上海新天专利代理有限公司 31213

代理人：

王敏杰

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101713062164 IPC(主分类):C23C 16/44 专利申请号:2012101588420 申请公布日:20121003
2012-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101353319316 IPC(主分类):C23C 16/44 专利申请号:2012101588420 申请日:20120522
2012-10-03	公开	公开

共 50 条

[1]

金属硅化物阻挡层的形成方法 [P].

王卉 ;

康军 ;

令海阳 .

中国专利 :CN102543716B ,2012-07-04

[2]

金属硅化物阻挡层的表面处理方法 [P].

顾梅梅 ;

张景春 ;

陈建维 ;

张旭升 .

中国专利 :CN103451620A ,2013-12-18

[3]

金属硅化物阻挡层和应力记忆层共用制程 [P].

孙昌 ;

魏铮颖 ;

王艳生 .

中国专利 :CN102437046A ,2012-05-02

[4]

金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件 [P].

曾翔 ;

蔡彬 ;

陈昊瑜 ;

黄冠群 ;

齐瑞生 .

中国专利 :CN120417391A ,2025-08-01

[5]

一种形成硅化物阻挡层的方法 [P].

宣国芳 ;

罗飞 .

中国专利 :CN103199015A ,2013-07-10

[6]

一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

张伟 ;

赫文振 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 .

中国专利 :CN120857584A ,2025-10-28

[7]

一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

张伟 ;

赫文振 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 .

中国专利 :CN120857584B ,2025-12-12

[8]

形成金属硅化物层的方法和由此形成的金属硅化物层 [P].

任·何 ;

马克西米利安·克莱蒙斯 ;

石美仪 ;

于敏锐 ;

本切基·梅巴基 ;

梅裕尔·B·奈克 ;

殷正操 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 .

中国专利 :CN110349838A ,2019-10-18

[9]

金属硅化物薄膜的制备方法 [P].

许广勤 ;

刘运龙 .

中国专利 :CN101399203A ,2009-04-01

[10]

金属硅化物层的制造方法 [P].

卢泽一 ;

简志明 ;

姚立人 .

中国专利 :CN103377900A ,2013-10-30

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