金属硅化物层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210129967.0

申请日：

2012-04-27

公开(公告)号：

CN103377900A

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

卢泽一简志明姚立人

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21283 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101603315589 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012101299670 申请日:20120427
2013-10-30	公开	公开
2017-09-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101759948734 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012101299670 申请公布日:20131030

共 50 条

[1]

金属硅化物接触层的制造方法 [P].

杜珊珊 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN101459068A ,2009-06-17

[2]

金属硅化物的制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121075913A ,2025-12-05

[3]

金属硅化物的制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121075912A ,2025-12-05

[4]

金属硅化物的制造方法 [P].

黄昭元 .

中国专利 :CN1453839A ,2003-11-05

[5]

金属硅化物的制造方法 [P].

郭振强 ;

樊颖涛 .

中国专利 :CN118471797A ,2024-08-09

[6]

金属硅化物制造方法 [P].

罗军 ;

邓坚 ;

赵超 ;

钟汇才 ;

李俊峰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103377894A ,2013-10-30

[7]

在半导体元件上制造金属硅化物层的方法 [P].

李荣镇 ;

金栢满 ;

金秀贤 ;

郑东河 ;

金鼎泰 ;

全萤卓 ;

李根雨 ;

金根俊 ;

朴台容 .

中国专利 :CN101345211A ,2009-01-14

[8]

金属硅化物的制造方法 [P].

张国华 .

中国专利 :CN1299339C ,2004-06-23

[9]

金属硅化物的制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121075914A ,2025-12-05

[10]

金属硅化物的制造方法 [P].

谢朝景 ;

江怡颖 ;

黄建中 ;

曹博昭 ;

徐新惠 ;

林建廷 ;

戎乐天 .

中国专利 :CN1862779A ,2006-11-15

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