金属硅化物接触层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710094567.X

申请日：

2007-12-13

公开(公告)号：

CN101459068A

公开(公告)日：

2009-06-17

发明(设计)人：

杜珊珊韩秋华

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-17	授权	授权
2009-06-17	公开	公开
2009-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-12-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101249721395 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL200710094567X 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111117

共 50 条

[1]

金属硅化物层的制造方法 [P].

卢泽一 ;

简志明 ;

姚立人 .

中国专利 :CN103377900A ,2013-10-30

[2]

自动对准金属硅化物制造方法 [P].

黄明政 ;

钟祥珉 .

中国专利 :CN1306595C ,2005-03-09

[3]

金属硅化物及金属硅化物上接触孔的制造方法 [P].

徐涛 ;

王卉 ;

陈宏 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN106683996A ,2017-05-17

[4]

监控金属硅化物层形成工艺的方法 [P].

江红 .

中国专利 :CN102214551B ,2011-10-12

[5]

金属硅化物的制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121075913A ,2025-12-05

[6]

金属硅化物的制造方法 [P].

张国华 .

中国专利 :CN1299339C ,2004-06-23

[7]

金属硅化物的制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121075912A ,2025-12-05

[8]

金属硅化物的制造方法 [P].

郭振强 ;

樊颖涛 .

中国专利 :CN118471797A ,2024-08-09

[9]

金属硅化物的制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121075915A ,2025-12-05

[10]

形成金属硅化物层的方法和由此形成的金属硅化物层 [P].

任·何 ;

马克西米利安·克莱蒙斯 ;

石美仪 ;

于敏锐 ;

本切基·梅巴基 ;

梅裕尔·B·奈克 ;

殷正操 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 .

中国专利 :CN110349838A ,2019-10-18

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