自动对准金属硅化物制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03155540.3

申请日：

2003-08-28

公开(公告)号：

CN1306595C

公开(公告)日：

2005-03-09

发明(设计)人：

黄明政钟祥珉

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-21	授权	授权
2005-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-09-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101005924358 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利号:ZL031555403 申请日:20030828 授权公告日:20070321
2005-03-09	公开	公开

共 50 条

[1]

自对准金属硅化物的制造方法 [P].

李镇全 .

中国专利 :CN109103138A ,2018-12-28

[2]

自对准金属硅化物的制造方法 [P].

朱津泉 ;

周祖源 .

中国专利 :CN101211781A ,2008-07-02

[3]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137462A ,2013-06-05

[4]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

曾海 ;

花蔚蔚 .

中国专利 :CN115116837A ,2022-09-27

[5]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

石永昱 ;

王栩 .

中国专利 :CN102142366A ,2011-08-03

[6]

形成自行对准金属硅化物的方法 [P].

高荣正 .

中国专利 :CN1484285A ,2004-03-24

[7]

自行对准金属硅化物的制造方法 [P].

廖文翔 .

中国专利 :CN1453837A ,2003-11-05

[8]

金属硅化物接触层的制造方法 [P].

杜珊珊 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN101459068A ,2009-06-17

[9]

自对准金属硅化物工艺 [P].

张毓蓝 ;

谢朝景 ;

江怡颖 ;

陈意维 ;

洪宗佑 ;

李佳蓉 .

中国专利 :CN100431105C ,2007-03-28

[10]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102569048A ,2012-07-11

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