一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511378656.1

申请日：

2025-09-25

公开(公告)号：

CN120857584A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

运广涛张伟赫文振苏圣哲罗钦贤

申请人：

合肥晶合集成电路股份有限公司

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/66

代理机构：

北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11804

代理人：

李波

法律状态：

公开

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-12-12	授权	授权
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250925

共 50 条

[1]

一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

张伟 ;

赫文振 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 .

中国专利 :CN120857584B ,2025-12-12

[2]

金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件 [P].

曾翔 ;

蔡彬 ;

陈昊瑜 ;

黄冠群 ;

齐瑞生 .

中国专利 :CN120417391A ,2025-08-01

[3]

金属硅化物阻挡层的形成方法 [P].

王卉 ;

康军 ;

令海阳 .

中国专利 :CN102543716B ,2012-07-04

[4]

金属硅化物层及半导体器件的制造方法 [P].

杨瑞鹏 ;

胡宇慧 ;

聂佳相 .

中国专利 :CN101459075A ,2009-06-17

[5]

半导体器件栅极上形成金属硅化物的制备方法 [P].

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106206272B ,2016-12-07

[6]

金属硅化物阻挡层薄膜的沉积方法 [P].

徐强 ;

毛智彪 .

中国专利 :CN102703879A ,2012-10-03

[7]

金属硅化物阻挡结构的形成方法及半导体器件 [P].

毛刚 ;

王家佳 .

中国专利 :CN101295662A ,2008-10-29

[8]

金属硅化物阻挡层的表面处理方法 [P].

顾梅梅 ;

张景春 ;

陈建维 ;

张旭升 .

中国专利 :CN103451620A ,2013-12-18

[9]

采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法 [P].

徐承福 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

吴凯 ;

陈宏 .

中国专利 :CN102903743A ,2013-01-30

[10]

金属硅化物层形成方法、半导体器件及芯片 [P].

邵瑾 ;

吴波 ;

刘芳 ;

王江红 ;

陶然 ;

吴永玉 ;

邓永峰 ;

郁文 ;

米朝勇 .

中国专利 :CN119812096A ,2025-04-11

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