一种形成硅化物阻挡层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310081989.9

申请日：

2013-03-14

公开(公告)号：

CN103199015A

公开(公告)日：

2013-07-10

发明(设计)人：

宣国芳罗飞

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

竺路玲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-27	授权	授权
2013-07-10	公开	公开
2013-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101503528467 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2013100819899 申请日:20130314

共 50 条

[1]

一种二氧化硅金属阻挡层的淀积方法 [P].

宣国芳 ;

罗飞 .

中国专利 :CN103177956B ,2013-06-26

[2]

金属硅化物阻挡层的形成方法 [P].

王卉 ;

康军 ;

令海阳 .

中国专利 :CN102543716B ,2012-07-04

[3]

金属硅化物阻挡层薄膜的沉积方法 [P].

徐强 ;

毛智彪 .

中国专利 :CN102703879A ,2012-10-03

[4]

一种形成镍硅化物阻挡层的方法 [P].

周军 ;

傅昶 .

中国专利 :CN102437034A ,2012-05-02

[5]

金属硅化物阻挡层的表面处理方法 [P].

顾梅梅 ;

张景春 ;

陈建维 ;

张旭升 .

中国专利 :CN103451620A ,2013-12-18

[6]

金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件 [P].

曾翔 ;

蔡彬 ;

陈昊瑜 ;

黄冠群 ;

齐瑞生 .

中国专利 :CN120417391A ,2025-08-01

[7]

一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

张伟 ;

赫文振 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 .

中国专利 :CN120857584A ,2025-10-28

[8]

一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

张伟 ;

赫文振 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 .

中国专利 :CN120857584B ,2025-12-12

[9]

自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法 [P].

陈华伦 ;

周贯宇 .

中国专利 :CN100442459C ,2007-05-30

[10]

金属硅化物阻挡层和应力记忆层共用制程 [P].

孙昌 ;

魏铮颖 ;

王艳生 .

中国专利 :CN102437046A ,2012-05-02

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