金属硅化物层的形成方法、半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810717248.8

申请日：

2018-07-03

公开(公告)号：

CN110676162B

公开(公告)日：

2020-01-10

发明(设计)人：

张玉贵方建智彭康钧林群证

申请人：

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H01L21285

IPC分类号：

H01L2945

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑星

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-01	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/285 变更事项:申请人变更前:合肥晶合集成电路有限公司变更后:合肥晶合集成电路股份有限公司变更事项:地址变更前:230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号变更后:230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号
2020-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/285 申请日:20180703
2020-01-10	公开	公开
2022-09-02	授权	授权

共 50 条

[1]

金属硅化物层形成方法、半导体器件及芯片 [P].

邵瑾 ;

吴波 ;

刘芳 ;

王江红 ;

陶然 ;

吴永玉 ;

邓永峰 ;

郁文 ;

米朝勇 .

中国专利 :CN119812096A ,2025-04-11

[2]

金属硅化物层的形成方法 [P].

杨淋淋 ;

吴坚 ;

张贵军 .

中国专利 :CN113205994B ,2021-08-03

[3]

自对准金属硅化物的形成方法和半导体器件 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103915326B ,2014-07-09

[4]

金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件 [P].

曾翔 ;

蔡彬 ;

陈昊瑜 ;

黄冠群 ;

齐瑞生 .

中国专利 :CN120417391A ,2025-08-01

[5]

金属硅化物形成方法及半导体器件的制造方法 [P].

片桐孝浩 ;

十河康则 .

中国专利 :CN100470728C ,2007-08-15

[6]

金属硅化物阻挡结构的形成方法及半导体器件 [P].

毛刚 ;

王家佳 .

中国专利 :CN101295662A ,2008-10-29

[7]

金属硅化物形成方法 [P].

孙晓峰 ;

高永亮 ;

丁海滨 .

中国专利 :CN102915918A ,2013-02-06

[8]

金属硅化物形成方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110890275B ,2020-03-17

[9]

金属硅化物形成方法 [P].

鲍宇 ;

荆学珍 ;

平延磊 ;

肖海波 .

中国专利 :CN102832112A ,2012-12-19

[10]

金属硅化物的形成方法 [P].

徐强 .

中国专利 :CN102456556A ,2012-05-16

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