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一种高容量和循环稳定的电化学贮镁复合电极及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201410340016.7
申请日：
2014-07-17
公开(公告)号：
CN104091948B
公开(公告)日：
2014-10-08
发明(设计)人：
陈卫祥 马琳 黄国创 王臻 叶剑波
申请人：
申请人地址：
310027 浙江省杭州市浙大路38号
IPC主分类号：
H01M458
IPC分类号：
H01M460 H01M446 H01M438
代理机构：
杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230
代理人：
冯年群
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2014-10-08 公开 公开
2014-10-29 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587991494 IPC(主分类):H01M 4/58 专利申请号:2014103400167 申请日:20140717
2019-07-05 专利权的终止 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01M 4/58 申请日:20140717 授权公告日:20160525 终止日期:20180717
2016-05-25 授权 授权
共 50 条
[1]
一种高容量和循环稳定的电化学贮锂复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
王臻 ;
黄国创 ;
马琳 ;
叶剑波 .
中国专利 :CN104103830B ,2014-10-15
[2]
一种高容量和循环稳定的电化学贮钠复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
马琳 ;
黄国创 ;
王臻 ;
叶剑波 .
中国专利 :CN104091915B ,2014-10-08
[3]
WS2纳米瓦/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
黄国创 ;
王臻 ;
马琳 ;
叶剑波 .
中国专利 :CN104091929B ,2014-10-08
[4]
一种容量高和循环稳定的电化学嵌脱镁离子电极及制备方法 [P]. 
陈涛 ;
陈卫祥 ;
常焜 ;
马琳 .
中国专利 :CN102142539B ,2011-08-03
[5]
多边缘WS2/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
马琳 ;
孙虎 ;
叶剑波 ;
陈倩男 ;
王臻 .
中国专利 :CN104103833B ,2014-10-15
[6]
多边缘MoS2纳米片/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
马琳 ;
叶剑波 ;
王臻 .
中国专利 :CN104091925B ,2014-10-08
[7]
WS2纳米瓦/石墨烯电化学贮钠复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
黄国创 ;
王臻 ;
马琳 ;
叶剑波 .
中国专利 :CN104091926B ,2014-10-08
[8]
WS2纳米瓦/石墨烯电化学贮锂复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
黄国创 ;
王臻 ;
马琳 ;
叶剑波 .
中国专利 :CN104103806B ,2014-10-15
[9]
Mo0.5W0.5S2纳米瓦/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
马琳 ;
黄国创 ;
王臻 ;
叶剑波 .
中国专利 :CN104091924B ,2014-10-08
[10]
MoS2带孔纳米片/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
马琳 ;
黄国创 ;
王臻 ;
叶剑波 .
中国专利 :CN104103811B ,2014-10-15
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