学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

WS2纳米瓦/石墨烯电化学贮钠复合电极及制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201410340065.0
申请日：
2014-07-17
公开(公告)号：
CN104091926B
公开(公告)日：
2014-10-08
发明(设计)人：
陈卫祥 黄国创 王臻 马琳 叶剑波
申请人：
申请人地址：
310027 浙江省杭州市浙大路38号
IPC主分类号：
H01M4136
IPC分类号：
H01M41397 B82Y3000 B82Y4000
代理机构：
杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230
代理人：
冯年群
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2014-10-08 公开 公开
2019-07-05 专利权的终止 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01M 4/136 申请日:20140717 授权公告日:20160622 终止日期:20180717
2016-06-22 授权 授权
2014-10-29 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587996626 IPC(主分类):H01M 4/136 专利申请号:2014103400650 申请日:20140717
共 50 条
[1]
WS2纳米瓦/石墨烯电化学贮锂复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
黄国创 ;
王臻 ;
马琳 ;
叶剑波 .
中国专利 :CN104103806B ,2014-10-15
[2]
WS2纳米瓦/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
黄国创 ;
王臻 ;
马琳 ;
叶剑波 .
中国专利 :CN104091929B ,2014-10-08
[3]
多边缘WS2/石墨烯电化学贮钠复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
陈涛 ;
马琳 ;
叶剑波 ;
王臻 .
中国专利 :CN104091954A ,2014-10-08
[4]
WS2带孔纳米片/石墨烯电化学贮钠复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
叶剑波 ;
马琳 ;
王臻 .
中国专利 :CN104103834B ,2014-10-15
[5]
多边缘WS2/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
马琳 ;
孙虎 ;
叶剑波 ;
陈倩男 ;
王臻 .
中国专利 :CN104103833B ,2014-10-15
[6]
多边缘WS2/石墨烯电化学贮锂复合电极及制备方法 [P]. 
陈涛 ;
陈卫祥 ;
马琳 ;
孙虎 ;
叶剑波 ;
陈倩男 .
中国专利 :CN104103810B ,2014-10-15
[7]
WS2带孔纳米片/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
黄国创 ;
王臻 ;
马琳 ;
叶剑波 .
中国专利 :CN104091927A ,2014-10-08
[8]
Mo0.5W0.5S2纳米瓦/石墨烯电化学贮钠复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
马琳 ;
黄国创 ;
王臻 ;
叶剑波 .
中国专利 :CN104091922B ,2014-10-08
[9]
多边缘MoS2纳米片/石墨烯电化学贮钠复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
马琳 ;
叶剑波 ;
王臻 .
中国专利 :CN104124435B ,2014-10-29
[10]
MoS2带孔纳米片/石墨烯电化学贮钠复合电极及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
马琳 ;
叶剑波 ;
王臻 .
中国专利 :CN104091916A ,2014-10-08
12345