MoS2带孔纳米片/石墨烯电化学贮钠复合电极及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410340083.9

申请日：

2014-07-17

公开(公告)号：

CN104091916A

公开(公告)日：

2014-10-08

发明(设计)人：

陈卫祥马琳叶剑波王臻

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市浙大路38号

IPC主分类号：

H01M413

IPC分类号：

H01M4139

代理机构：

杭州赛科专利代理事务所 33230

代理人：

冯年群

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-08	公开	公开
2019-07-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01M 4/13 申请日:20140717 授权公告日:20160824 终止日期:20180717
2016-08-24	授权	授权
2014-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587994055 IPC(主分类):H01M 4/13 专利申请号:2014103400839 申请日:20140717

共 50 条

[1]

MoS2带孔纳米片/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法 [P].

陈卫祥 ;

马琳 ;

黄国创 ;

王臻 ;

叶剑波 .

中国专利 :CN104103811B ,2014-10-15

[2]

WS2带孔纳米片/石墨烯电化学贮钠复合电极及制备方法 [P].

陈卫祥 ;

叶剑波 ;

马琳 ;

王臻 .

中国专利 :CN104103834B ,2014-10-15

[3]

MoS2带孔纳米片/石墨烯电化学贮锂复合电极及制备方法 [P].

陈卫祥 ;

王臻 ;

黄国创 ;

马琳 ;

叶剑波 .

中国专利 :CN104091928A ,2014-10-08

[4]

多边缘MoS2纳米片/石墨烯电化学贮钠复合电极及制备方法 [P].

陈卫祥 ;

马琳 ;

叶剑波 ;

王臻 .

中国专利 :CN104124435B ,2014-10-29

[5]

WS2带孔纳米片/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法 [P].

陈卫祥 ;

黄国创 ;

王臻 ;

马琳 ;

叶剑波 .

中国专利 :CN104091927A ,2014-10-08

[6]

多边缘MoS2纳米片/石墨烯电化学贮锂复合电极及制备方法 [P].

陈涛 ;

陈卫祥 ;

马琳 ;

孙虎 ;

叶剑波 ;

王臻 .

中国专利 :CN104124434B ,2014-10-29

[7]

多边缘MoS2纳米片/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法 [P].

陈卫祥 ;

马琳 ;

叶剑波 ;

王臻 .

中国专利 :CN104091925B ,2014-10-08

[8]

Mo0.5W0.5S2纳米瓦/石墨烯电化学贮钠复合电极及制备方法 [P].

陈卫祥 ;

马琳 ;

黄国创 ;

王臻 ;

叶剑波 .

中国专利 :CN104091922B ,2014-10-08

[9]

WS2纳米瓦/石墨烯电化学贮钠复合电极及制备方法 [P].

陈卫祥 ;

黄国创 ;

王臻 ;

马琳 ;

叶剑波 .

中国专利 :CN104091926B ,2014-10-08

[10]

多边缘WS2/石墨烯电化学贮钠复合电极及制备方法 [P].

陈卫祥 ;

陈涛 ;

马琳 ;

叶剑波 ;

王臻 .

中国专利 :CN104091954A ,2014-10-08

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