一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711358841.X

申请日：

2017-12-17

公开(公告)号：

CN108048900A

公开(公告)日：

2018-05-18

发明(设计)人：

张骐金宝周兴翟天佑

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

C30B2500

IPC分类号：

C30B2950 B82Y4000

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

张彩锦;曹葆青

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/00 申请日:20171217
2019-07-23	授权	授权
2018-05-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种非层状二维PbSe晶体材料及其制备方法 [P].

周兴 ;

张逊 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN111304747A ,2020-06-19

[2]

一种二维纳米材料的制备方法及二维纳米材料 [P].

黄辉 ;

邢旺 .

中国专利 :CN106186071A ,2016-12-07

[3]

一种二维纳米碳材料的制备方法及二维纳米碳材料 [P].

马培勇 ;

马霄彤 ;

刘小好 ;

刁瑞 ;

祁风雷 ;

闫东旭 .

中国专利 :CN119528120A ,2025-02-28

[4]

一种二维纳米黑磷基掺杂硫化镉异质结材料的制备方法 [P].

张玮玮 ;

邱丽娜 ;

李少平 ;

白芳 .

中国专利 :CN120662344A ,2025-09-19

[5]

一种二维三元非层状碲锌镉晶体材料及其制备方法 [P].

赵梅 ;

张礼杰 ;

雷敏婷 ;

张克难 ;

尤胜东 .

中国专利 :CN118516756A ,2024-08-20

[6]

一种以二维层状材料为模板的硫化镉纳米棒的制备方法及制品 [P].

施利毅 ;

张登松 ;

李红蕊 .

中国专利 :CN103011259A ,2013-04-03

[7]

一种手性二维硫化镉纳米片的制备方法及应用 [P].

王义展 ;

李军鹏 .

中国专利 :CN117800386A ,2024-04-02

[8]

一种单层二维纳米材料MXene的制备方法 [P].

朱艳超 ;

李恩 .

中国专利 :CN112142101A ,2020-12-29

[9]

一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法 [P].

张骐 ;

周兴 ;

甘霖 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN104962990B ,2015-10-07

[10]

一种二维纳米Ga2In4S9晶体材料的制备方法及产品 [P].

张骐 ;

高婷 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN107188220B ,2019-05-14

← 1 2 3 4 5 →