一种二维纳米Ga2In4S9晶体材料的制备方法及产品

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710469672.0

申请日：

2017-06-20

公开(公告)号：

CN107188220B

公开(公告)日：

2019-05-14

发明(设计)人：

张骐高婷翟天佑

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

周磊;曹葆青

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-14	授权	授权
2017-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 15/00 申请日:20170620

共 50 条

[1]

一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法 [P].

张骐 ;

周兴 ;

甘霖 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN104962990B ,2015-10-07

[2]

二维材料制备方法及二维纳米片 [P].

张凯 ;

李杰 ;

陆杨 ;

俞强 .

中国专利 :CN118668176A ,2024-09-20

[3]

一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法 [P].

陈飞 ;

姜夏 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN112663139B ,2021-04-16

[4]

一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品 [P].

张骐 ;

金宝 ;

周兴 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN108048900A ,2018-05-18

[5]

制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的方法及其应用 [P].

张骐 ;

吕嘉楠 ;

李馨 ;

徐旻轩 ;

郑鑫 ;

史月琴 ;

孔哲 .

中国专利 :CN113957527A ,2022-01-21

[6]

一种二维纳米片及其制备方法和用途 [P].

郑健 ;

王少芝 .

中国专利 :CN110371932A ,2019-10-25

[7]

一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法 [P].

陈飞 ;

夏媛 ;

吕秋燃 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN114540956A ,2022-05-27

[8]

用于生产二维纳米材料的方法 [P].

妮科尔·格罗贝尔 ;

阿德里安·蒂莫西·默多克 ;

安塔尔·阿道弗·科斯 .

中国专利 :CN104246025A ,2014-12-24

[9]

一种二维材料纳米带或微米带的制备方法 [P].

杨伟煌 ;

李华 ;

吴丽翔 ;

王高峰 .

中国专利 :CN109811307A ,2019-05-28

[10]

一种制备二维纳米薄膜的设备 [P].

徐明生 ;

陈红征 ;

王秋来 ;

黄文符 .

中国专利 :CN102732834B ,2012-10-17

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