制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111201029.2

申请日：

2021-10-14

公开(公告)号：

CN113957527A

公开(公告)日：

2022-01-21

发明(设计)人：

张骐吕嘉楠李馨徐旻轩郑鑫史月琴孔哲

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街1158号

IPC主分类号：

C30B2912

IPC分类号：

C30B2500

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-21	公开	公开
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/12 申请日:20211014

共 50 条

[1]

制备二维纳米Cs<sub>3</sub>Cu<sub>2</sub>I<sub>5</sub>晶体材料的方法及其应用 [P].

张骐 ;

吕嘉楠 ;

李馨 ;

徐旻轩 ;

郑鑫 ;

史月琴 ;

孔哲 .

中国专利 :CN113957527B ,2024-03-15

[2]

一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法 [P].

张骐 ;

周兴 ;

甘霖 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN104962990B ,2015-10-07

[3]

一种二维纳米碳材料的制备方法及二维纳米碳材料 [P].

马培勇 ;

马霄彤 ;

刘小好 ;

刁瑞 ;

祁风雷 ;

闫东旭 .

中国专利 :CN119528120A ,2025-02-28

[4]

一种二维纳米Ga2In4S9晶体材料的制备方法及产品 [P].

张骐 ;

高婷 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN107188220B ,2019-05-14

[5]

一种层状螺旋WS2二维纳米材料及其制备方法 [P].

潘安练 ;

樊晓鹏 ;

朱小莉 .

中国专利 :CN104695021B ,2015-06-10

[6]

一种Cs3Cu2I5紫外探测器及其薄膜制备方法 [P].

唐孝生 ;

曾凡菊 ;

胡伟 ;

张孟 ;

叶怀宇 ;

张国旗 .

中国专利 :CN110611014B ,2019-12-24

[7]

一种层状螺旋WS2二维纳米材料的应用 [P].

潘安练 ;

樊晓鹏 ;

朱小莉 .

中国专利 :CN107145022A ,2017-09-08

[8]

一种二维纳米材料电极、制备方法与应用 [P].

徐帅凯 ;

黎裕冰 .

中国专利 :CN120581537A ,2025-09-02

[9]

一种超薄二维纳米材料的制备方法 [P].

郭林 ;

赵赫威 ;

张有玮 .

中国专利 :CN107253701B ,2017-10-17

[10]

一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品 [P].

张骐 ;

金宝 ;

周兴 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN108048900A ,2018-05-18

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