一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011209596.8

申请日：

2020-11-03

公开(公告)号：

CN112663139B

公开(公告)日：

2021-04-16

发明(设计)人：

陈飞姜夏苏伟涛

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

C30B2516

IPC分类号：

C30B2814 C30B2946 C30B2964 H01L2910

代理机构：

杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240

代理人：

朱亚冠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/16 申请日:20201103
2021-04-16	公开	公开
2022-05-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构的制备方法 [P].

陈飞 ;

吕秋燃 ;

夏媛 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN114420567B ,2025-11-21

[2]

一种二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构的制备方法 [P].

陈飞 ;

吕秋燃 ;

夏媛 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN114420567A ,2022-04-29

[3]

一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法 [P].

陈飞 ;

夏媛 ;

吕秋燃 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN114540956A ,2022-05-27

[4]

一种二维硫化钼/硫化铟横向异质结及其制备方法和应用 [P].

陆健婷 ;

郑照强 .

中国专利 :CN110473925A ,2019-11-19

[5]

一种生长在蓝宝石衬底上的硫化钼二维材料的制备方法 [P].

莫炯炯 ;

王志宇 ;

陈华 ;

郁发新 .

中国专利 :CN110670125A ,2020-01-10

[6]

一种二维硫化铋晶体材料及其制备方法 [P].

乔梁 ;

赵梅 ;

赵洋 .

中国专利 :CN111876828A ,2020-11-03

[7]

一种二维硫化钼-硫化铌范德华异质结光突触器件及其制备方法 [P].

秦敬凯 ;

陈鸿基 ;

徐成彦 ;

甄良 .

中国专利 :CN115241307B ,2024-05-14

[8]

一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法 [P].

张骐 ;

周兴 ;

甘霖 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN104962990B ,2015-10-07

[9]

一种二维硒化铟晶体材料的制备方法 [P].

赵炯 ;

韩伟 ;

郑晓东 .

中国专利 :CN115012029A ,2022-09-06

[10]

一种二维硒化铟晶体材料的制备方法 [P].

赵炯 ;

韩伟 ;

郑晓东 .

中国专利 :CN115012029B ,2025-04-11

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