一种二维硫化铋晶体材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010604586.8

申请日：

2020-06-29

公开(公告)号：

CN111876828A

公开(公告)日：

2020-11-03

发明(设计)人：

乔梁赵梅赵洋

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

C30B2500 C30B2964

代理机构：

成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229

代理人：

李亚男

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/46 申请日:20200629
2021-05-18	授权	授权
2020-11-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二维CuCrS2晶体材料及其制备方法 [P].

周兴 ;

许翔 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN114197036B ,2022-03-18

[2]

一种二维结构硫化铋纳米材料及其制备方法 [P].

于冰 ;

丛海林 ;

陈桂焕 ;

张浩浩 ;

申有青 .

中国专利 :CN110885097A ,2020-03-17

[3]

一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法 [P].

陈飞 ;

夏媛 ;

吕秋燃 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN114540956A ,2022-05-27

[4]

一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法 [P].

陈飞 ;

姜夏 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN112663139B ,2021-04-16

[5]

一种二维非层状In2SnS4晶体材料及其制备方法 [P].

周兴 ;

左念 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN110846719B ,2020-02-28

[6]

二维多铁半导体材料及其制备方法 [P].

魏钟鸣 ;

杨淮 ;

李京波 .

中国专利 :CN109166963A ,2019-01-08

[7]

二碲化硅二维晶体材料及其制备方法 [P].

宋志朋 ;

路红亮 ;

林晓 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN114855282A ,2022-08-05

[8]

一种非层状二维PbSe晶体材料及其制备方法 [P].

周兴 ;

张逊 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN111304747A ,2020-06-19

[9]

一种二维金属单质Cd晶体材料及其制备方法 [P].

张礼杰 ;

赵梅 ;

岳敏 ;

王佩剑 ;

王舜 .

中国专利 :CN120905773A ,2025-11-07

[10]

一种三氧化钼二维晶体材料及其制备方法和应用 [P].

戴志高 ;

叶嘉微 ;

李国岗 .

中国专利 :CN118792735A ,2024-10-18

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