一种二维CuCrS2晶体材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111535579.8

申请日：

2021-12-15

公开(公告)号：

CN114197036B

公开(公告)日：

2022-03-18

发明(设计)人：

周兴许翔翟天佑

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2510 C30B2514 C30B2946 C30B2964

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

孔娜;尚威

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	公开	公开
2022-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/02 申请日:20211215
2022-09-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种二维非层状In2SnS4晶体材料及其制备方法 [P].

周兴 ;

左念 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN110846719B ,2020-02-28

[2]

一种二维硫化铋晶体材料及其制备方法 [P].

乔梁 ;

赵梅 ;

赵洋 .

中国专利 :CN111876828A ,2020-11-03

[3]

一种非层状二维PbSe晶体材料及其制备方法 [P].

周兴 ;

张逊 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN111304747A ,2020-06-19

[4]

二碲化硅二维晶体材料及其制备方法 [P].

宋志朋 ;

路红亮 ;

林晓 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN114855282A ,2022-08-05

[5]

一种二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料及其制备方法 [P].

周兴 ;

彭乔俊 ;

李东燕 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN112853490A ,2021-05-28

[6]

一种二维金属单质Cd晶体材料及其制备方法 [P].

张礼杰 ;

赵梅 ;

岳敏 ;

王佩剑 ;

王舜 .

中国专利 :CN120905773A ,2025-11-07

[7]

一种三氧化钼二维晶体材料及其制备方法和应用 [P].

戴志高 ;

叶嘉微 ;

李国岗 .

中国专利 :CN118792735A ,2024-10-18

[8]

一种铪二维原子晶体材料及其制备方法 [P].

王业亮 ;

李林飞 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN103074680A ,2013-05-01

[9]

二维In2S3/SnS异质结晶体材料的制备方法 [P].

周兴 ;

左念 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN112663144B ,2021-04-16

[10]

一种锑烯二维原子晶体材料及其制备方法 [P].

王业亮 ;

武旭 ;

邵岩 ;

刘中流 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN106191999B ,2016-12-07

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