一种铪二维原子晶体材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310047140.X

申请日：

2013-02-06

公开(公告)号：

CN103074680A

公开(公告)日：

2013-05-01

发明(设计)人：

王业亮李林飞高鸿钧

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街八号

IPC主分类号：

C30B2902

IPC分类号：

C30B2964 C30B2300 C23C1416

代理机构：

北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390

代理人：

胡剑辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-01	公开	公开
2013-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101465134079 IPC(主分类):C30B 29/02 专利申请号:201310047140X 申请日:20130206
2015-07-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种锗烯二维原子晶体材料及其制备方法 [P].

王业亮 ;

李林飞 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN103643287A ,2014-03-19

[2]

一种锑烯二维原子晶体材料及其制备方法 [P].

王业亮 ;

武旭 ;

邵岩 ;

刘中流 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN106191999B ,2016-12-07

[3]

一种自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料及制备方法 [P].

卢建臣 ;

林晓 ;

钱凯 ;

张帅 ;

杜世萱 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN108611677A ,2018-10-02

[4]

一种单层硒化铜二维原子晶体材料及其制备方法和用途 [P].

卢建臣 ;

林晓 ;

高蕾 ;

钱凯 ;

张帅 ;

杜世萱 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN110029398A ,2019-07-19

[5]

一种二维原子晶体多层转角WS2纳米材料及其制备方法 [P].

刘华伟 ;

潘安练 ;

朱小莉 .

中国专利 :CN113666418A ,2021-11-19

[6]

二碲化硅二维晶体材料及其制备方法 [P].

宋志朋 ;

路红亮 ;

林晓 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN114855282A ,2022-08-05

[7]

一种二维硫化铋晶体材料及其制备方法 [P].

乔梁 ;

赵梅 ;

赵洋 .

中国专利 :CN111876828A ,2020-11-03

[8]

一种锡烯材料及其制备方法 [P].

刘乐光 .

中国专利 :CN106987904A ,2017-07-28

[9]

一种二维含能材料及其制备方法 [P].

陈晓勇 ;

张泽宇 ;

熊继军 ;

梁庭 ;

贾平岗 ;

洪应平 ;

雷程 ;

李晨 .

中国专利 :CN109678632A ,2019-04-26

[10]

一种二维含能材料及其制备方法 [P].

陈晓勇 ;

王新新 ;

熊继军 ;

梁庭 ;

贾平岗 ;

洪应平 ;

雷程 ;

李晨 .

中国专利 :CN109678631A ,2019-04-26

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