一种自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810429464.2

申请日：

2018-05-08

公开(公告)号：

CN108611677A

公开(公告)日：

2018-10-02

发明(设计)人：

卢建臣林晓钱凯张帅杜世萱高鸿钧

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

C30B102

IPC分类号：

C30B110 C30B2946 C30B2964

代理机构：

北京市正见永申律师事务所 11497

代理人：

黄小临;冯玉清

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-02	公开	公开
2020-10-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 1/02 申请公布日:20181002
2018-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 1/02 申请日:20180508

共 50 条

[1]

一种单层硒化铜二维原子晶体材料及其制备方法和用途 [P].

卢建臣 ;

林晓 ;

高蕾 ;

钱凯 ;

张帅 ;

杜世萱 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN110029398A ,2019-07-19

[2]

一种铪二维原子晶体材料及其制备方法 [P].

王业亮 ;

李林飞 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN103074680A ,2013-05-01

[3]

一种锑烯二维原子晶体材料及其制备方法 [P].

王业亮 ;

武旭 ;

邵岩 ;

刘中流 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN106191999B ,2016-12-07

[4]

一种锗烯二维原子晶体材料及其制备方法 [P].

王业亮 ;

李林飞 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN103643287A ,2014-03-19

[5]

一种单层二硒化钒二维材料的制备方法 [P].

王业亮 ;

刘中流 ;

武旭 ;

邵岩 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN107445157B ,2017-12-08

[6]

单层TMDC二维材料及其制备方法 [P].

葛啸天 ;

黄增立 ;

许蕾蕾 ;

张青 ;

王荣新 ;

张珽 .

中国专利 :CN118579733A ,2024-09-03

[7]

一种二维硒化铟晶体材料的制备方法 [P].

赵炯 ;

韩伟 ;

郑晓东 .

中国专利 :CN115012029B ,2025-04-11

[8]

一种二维硒化铟晶体材料的制备方法 [P].

赵炯 ;

韩伟 ;

郑晓东 .

中国专利 :CN115012029A ,2022-09-06

[9]

二碲化硅二维晶体材料及其制备方法 [P].

宋志朋 ;

路红亮 ;

林晓 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN114855282A ,2022-08-05

[10]

单层二维材料及其制备方法 [P].

张兴旺 ;

张丝雨 ;

尹志岗 .

中国专利 :CN117431638A ,2024-01-23

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