一种二维硒化铟晶体材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210617423.2

申请日：

2022-06-01

公开(公告)号：

CN115012029B

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

赵炯韩伟郑晓东

申请人：

香港理工大学

申请人地址：

中国香港九龙红磡香港理工大学

IPC主分类号：

C30B25/02

IPC分类号：

C30B29/46 C30B33/00

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

赵青朵

法律状态：

授权

国省代码：

四川省甘孜藏族自治州

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种二维硒化铟晶体材料的制备方法 [P].

赵炯 ;

韩伟 ;

郑晓东 .

中国专利 :CN115012029A ,2022-09-06

[2]

一种二维硒化铟晶体材料及其制备方法和场效应晶体管 [P].

赵炯 ;

韩伟 ;

郑晓东 .

中国专利 :CN120099632A ,2025-06-06

[3]

二维材料硒化铟的非晶化方法 [P].

张军伟 ;

张亚星 ;

邓霞 ;

张丽娟 ;

彭蓉 ;

赵欣蕊 ;

姚洋 ;

尉诗洋 ;

何九涉 ;

姜硕 ;

贺娃 ;

彭勇 .

中国专利 :CN120273035A ,2025-07-08

[4]

一种二维三硒化二铟原子晶体及其制备方法和用途 [P].

成会明 ;

唐磊 ;

刘碧录 .

中国专利 :CN108546994B ,2018-09-18

[5]

一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法 [P].

陈飞 ;

夏媛 ;

吕秋燃 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN114540956A ,2022-05-27

[6]

一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法 [P].

陈飞 ;

姜夏 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN112663139B ,2021-04-16

[7]

一种基于快速降温化学气相沉积法制备大面积二维硒化铟薄膜晶体材料的方法及其制备的产品和应用 [P].

韩伟 ;

关爽 ;

危家昀 ;

江加兴 ;

祝习墨 ;

王浩 .

中国专利 :CN118600534A ,2024-09-06

[8]

一种二维铋氧硒原子晶体材料、及其制备方法和用途 [P].

成会明 ;

乌斯曼·汗 ;

唐磊 ;

罗雨婷 ;

刘碧录 .

中国专利 :CN109402739A ,2019-03-01

[9]

二维材料、二维材料合金以及二维材料异质结制备方法 [P].

王佩剑 ;

刘影 ;

潘宝俊 ;

蓝善贵 ;

俞滨 .

中国专利 :CN114411148A ,2022-04-29

[10]

二维材料、二维材料合金以及二维材料异质结制备方法 [P].

王佩剑 ;

刘影 ;

潘宝俊 ;

蓝善贵 ;

俞滨 .

中国专利 :CN114411148B ,2024-05-07

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