一种高比例非晶相ZnO薄膜的快速制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110996392.1

申请日：

2021-08-27

公开(公告)号：

CN113697845B

公开(公告)日：

2021-11-26

发明(设计)人：

许志武陈姝李政玮马钟玮闫久春

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

C01G902

IPC分类号：

C04B4187

代理机构：

哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213

代理人：

侯静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 9/02 申请日:20210827
2022-11-29	授权	授权
2021-11-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种极性可调式高透光ZnO薄膜的液相制备方法 [P].

齐琳 ;

于世凤 .

中国专利 :CN115818975B ,2024-04-12

[2]

一种基于“晶体相-非晶相”转变的非晶制备方法 [P].

王楠 ;

韩三轩 ;

杨瑞宁 ;

白杨 ;

姚文静 .

中国专利 :CN112575209A ,2021-03-30

[3]

一种高γ相含量PVDF薄膜的快速制备方法 [P].

王震 ;

叶秋阳 ;

董斌斌 ;

黄崇鑫 ;

刘春太 .

中国专利 :CN117844022A ,2024-04-09

[4]

一种无错配非极性ZnO薄膜的制备方法 [P].

齐琳 ;

李新 .

中国专利 :CN115084322A ,2022-09-20

[5]

一种 ZnO/Al/ZnO光电透明导电薄膜的沉积制备方法 [P].

张铁岩 ;

赵琰 ;

张东 ;

赵志刚 ;

张晓慧 ;

李昱材 ;

邓玮 .

中国专利 :CN103031556A ,2013-04-10

[6]

非晶BTO相致密包裹NZFO晶相高介高磁复相陶瓷及制备方法 [P].

杜丕一 ;

肖彬 ;

王君从 ;

马宁 .

中国专利 :CN103880409B ,2014-06-25

[7]

非晶氧化镧薄膜的制备方法 [P].

樊慧庆 ;

杨陈 ;

李强 .

中国专利 :CN102864412A ,2013-01-09

[8]

一种高形成能力非晶合金的制备方法及非晶合金 [P].

卢昆 ;

王玮 ;

高宽 .

中国专利 :CN121023292A ,2025-11-28

[9]

一种高导电ZnO薄膜材料及其制备方法 [P].

田甜 ;

李国荣 ;

郑嘹赢 ;

阮学政 ;

满振勇 .

中国专利 :CN115558889A ,2023-01-03

[10]

一种高导电ZnO薄膜材料及其制备方法 [P].

田甜 ;

李国荣 ;

郑嘹赢 ;

阮学政 ;

满振勇 .

中国专利 :CN115558889B ,2024-06-04

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