硅基电极及其制作工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510115594.5

申请日：

2015-03-17

公开(公告)号：

CN106033808A

公开(公告)日：

2016-10-19

发明(设计)人：

石东益杜正恭刘伟仁陈秉宏庄上毅

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市东区民权路15号10楼

IPC主分类号：

H01M41395

IPC分类号：

H01M4134 H01M100525

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

吴俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687382587 IPC(主分类):H01M 4/1395 专利申请号:2015101155945 申请日:20150317
2019-08-13	授权	授权
2016-10-19	公开	公开
2019-10-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01M 4/1395 登记生效日:20191008 变更事项:专利权人变更前权利人:石东益变更后权利人:智捷能源股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾新竹市东区民权路15号10楼变更后权利人:中国台湾新竹市东区民权路15号10楼变更事项:共同专利权人变更前权利人:杜正恭陈秉宏变更后权利人:杜正恭陈秉宏

共 50 条

[1]

硅基电极制作工艺及其储能装置 [P].

石东益 ;

杜正恭 ;

刘伟仁 ;

陈秉宏 ;

庄上毅 .

中国专利 :CN106033807A ,2016-10-19

[2]

硅基光斑模场转化器及其制作工艺 [P].

沈笑寒 ;

陈奔 ;

朱宇 ;

王皓 ;

邢园园 ;

杨凌冈 .

中国专利 :CN112285829A ,2021-01-29

[3]

GHz硅基ScAlN薄膜谐振器及其制作工艺 [P].

尚正国 ;

牟笑静 .

中国专利 :CN106385242A ,2017-02-08

[4]

硅镁复合烟筒及其制作工艺 [P].

郭光增 .

中国专利 :CN1052545A ,1991-06-26

[5]

直通硅晶穿孔及其制作工艺 [P].

郭建利 ;

陈春宏 ;

林明哲 ;

林永昌 .

中国专利 :CN104183571B ,2014-12-03

[6]

医用支架、电极及电极制作工艺 [P].

孙艺珂 ;

陈小刚 ;

高小榕 .

中国专利 :CN120131267A ,2025-06-13

[7]

一种硅基锗探测器及其制作工艺 [P].

崔积适 ;

肖洪地 .

中国专利 :CN115117187A ,2022-09-27

[8]

一种硅基电极及其制备方法和应用 [P].

韩令海 ;

史碧梦 ;

翟喜民 ;

赵春荣 ;

别晓非 ;

杨容 ;

姜涛 ;

赵金玲 .

中国专利 :CN118610464A ,2024-09-06

[9]

一种硅脂及其制作工艺 [P].

宁少武 ;

邱金伟 ;

郭镇坤 .

中国专利 :CN115678017A ,2023-02-03

[10]

低温高硅炻瓷及其制作工艺 [P].

曾友强 .

中国专利 :CN101066862A ,2007-11-07

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