半导体处理装置、半导体处理系统和半导体边缘处理方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111074547.2
申请日
2021-09-14
公开(公告)号
CN114188265A
公开(公告)日
2022-03-15
发明(设计)人
温子瑛
申请人
申请人地址
214000 江苏省无锡市新区震泽路18号国家软件园3期鲸鱼座A栋1楼
IPC主分类号
H01L21687
IPC分类号
H01L2167 H01L2168 H01L21306
代理机构
苏州简理知识产权代理有限公司 32371
代理人
庞聪雅
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体处理装置、半导体处理系统和半导体边缘处理方法 [P]. 
温子瑛 .
中国专利 :CN114188265B ,2025-06-17
[2]
半导体处理装置和半导体处理系统 [P]. 
温子瑛 .
中国专利 :CN120497194A ,2025-08-15
[3]
半导体处理装置、半导体处理系统和半导体边缘定位方法 [P]. 
温子瑛 .
中国专利 :CN116844991B ,2025-09-02
[4]
半导体处理装置和半导体处理系统 [P]. 
温子瑛 .
中国专利 :CN116844993B ,2025-07-15
[5]
半导体处理系统及其半导体处理方法 [P]. 
温子瑛 .
中国专利 :CN119920719A ,2025-05-02
[6]
半导体处理系统和半导体处理方法 [P]. 
曹志明 ;
赖佶甫 .
中国专利 :CN119965081A ,2025-05-09
[7]
半导体元件处理系统、半导体元件处理装置及半导体元件处理方法 [P]. 
刘晏宏 ;
陈鸿文 ;
陈哲夫 .
中国专利 :CN110098136B ,2019-08-06
[8]
半导体处理装置及其半导体处理方法 [P]. 
温子瑛 ;
马杰 .
中国专利 :CN120021003A ,2025-05-20
[9]
半导体处理装置 [P]. 
温子瑛 .
中国专利 :CN120319719A ,2025-07-15
[10]
半导体处理装置 [P]. 
温子瑛 .
中国专利 :CN114188266A ,2022-03-15