金属栅极晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310231961.9

申请日：

2013-06-09

公开(公告)号：

CN104241129A

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

刘焕新

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-01	授权	授权
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595675042 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013102319619 申请日:20130609
2014-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

金属栅极晶体管的形成方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN104241131A ,2014-12-24

[2]

NMOS金属栅极晶体管的形成方法 [P].

张海洋 ;

李凤莲 .

中国专利 :CN104347377B ,2015-02-11

[3]

金属栅极和MOS晶体管的形成方法 [P].

王新鹏 .

中国专利 :CN102856178A ,2013-01-02

[4]

金属栅极及MOS晶体管的形成方法 [P].

李凤莲 .

中国专利 :CN102479691A ,2012-05-30

[5]

金属栅极及MOS晶体管的形成方法 [P].

倪景华 .

中国专利 :CN102800577B ,2012-11-28

[6]

金属栅极和MOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN102956465A ,2013-03-06

[7]

一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法 [P].

蒋莉 .

中国专利 :CN102479694B ,2012-05-30

[8]

一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法 [P].

王庆玲 ;

陈枫 .

中国专利 :CN102683189B ,2012-09-19

[9]

一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN102683190A ,2012-09-19

[10]

一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102487010A ,2012-06-06

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