基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310397762.5

申请日：

2013-09-04

公开(公告)号：

CN103500798A

公开(公告)日：

2014-01-08

发明(设计)人：

王凤霞潘革波

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L5110 H01L5140 G01N27414

代理机构：

深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316

代理人：

宋鹰武;沈祖锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-08	公开	公开
2016-08-17	授权	授权
2014-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101570122374 IPC(主分类):H01L 51/05 专利申请号:2013103977625 申请日:20130904

共 50 条

[1]

基于场效应晶体管的气体传感器及其制备方法 [P].

王超 ;

李向光 ;

田峻瑜 ;

方华斌 .

中国专利 :CN112881477A ,2021-06-01

[2]

场效应晶体管气体传感器及其制造方法 [P].

梁圣法 ;

李冬梅 ;

刘明 ;

谢常青 ;

陈鑫 ;

詹爽 .

中国专利 :CN103308584A ,2013-09-18

[3]

场效应晶体管型气体传感器及其制备方法 [P].

季涛 ;

胡燕文 ;

卢国佳 ;

和树庆 .

中国专利 :CN120084857A ,2025-06-03

[4]

场效应晶体管、气体传感器及其制造方法 [P].

鹈饲顺三 ;

汐月大志 ;

南豪 ;

佐佐木由比 .

中国专利 :CN113540351A ,2021-10-22

[5]

一种场效应晶体管丙酮气体传感器及其制备方法 [P].

李俊 ;

陈琦 ;

张志林 ;

张建华 .

中国专利 :CN111610234B ,2020-09-01

[6]

用于气体传感器的场效应晶体管 [P].

A.克劳斯 ;

W.达维斯 .

中国专利 :CN102375014A ,2012-03-14

[7]

有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法 [P].

于军胜 ;

施薇 ;

王煦 ;

韩世蛟 .

中国专利 :CN104849336A ,2015-08-19

[8]

场效应晶体管液体传感器及其制备方法 [P].

罗卫军 ;

陈晓娟 ;

袁婷婷 ;

庞磊 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN103928525A ,2014-07-16

[9]

场效应晶体管手性传感器及其制备方法 [P].

潘革波 ;

王亦 ;

崔铮 .

中国专利 :CN101923065A ,2010-12-22

[10]

基于薄膜场效应晶体管的气体传感器件及其制备方法 [P].

刘欢 ;

李华曜 ;

唐艳婷 ;

邢颖颖 ;

毛镕煜 .

中国专利 :CN119804596B ,2025-12-30

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