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基于场效应晶体管的气体传感器及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110073304.0
申请日
:
2021-01-19
公开(公告)号
:
CN112881477A
公开(公告)日
:
2021-06-01
发明(设计)人
:
王超
李向光
田峻瑜
方华斌
申请人
:
申请人地址
:
261000 山东省潍坊市潍坊高新区新城街道蓉花社区蓉花路102号歌尔二期工业园10号楼
IPC主分类号
:
G01N2712
IPC分类号
:
代理机构
:
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287
代理人
:
梁馨怡
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-06-01
公开
公开
共 50 条
[1]
基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法
[P].
王凤霞
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王凤霞
;
潘革波
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潘革波
.
中国专利
:CN103500798A
,2014-01-08
[2]
场效应晶体管型气体传感器及其制备方法
[P].
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机构:
季涛
;
胡燕文
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机构:
深圳技术大学
深圳技术大学
胡燕文
;
卢国佳
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机构:
深圳技术大学
深圳技术大学
卢国佳
;
论文数:
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机构:
和树庆
.
中国专利
:CN120084857A
,2025-06-03
[3]
场效应晶体管、气体传感器及其制造方法
[P].
鹈饲顺三
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鹈饲顺三
;
汐月大志
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汐月大志
;
南豪
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南豪
;
佐佐木由比
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佐佐木由比
.
中国专利
:CN113540351A
,2021-10-22
[4]
场效应晶体管气体传感器及其制造方法
[P].
梁圣法
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梁圣法
;
李冬梅
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李冬梅
;
刘明
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刘明
;
谢常青
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谢常青
;
陈鑫
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陈鑫
;
詹爽
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詹爽
.
中国专利
:CN103308584A
,2013-09-18
[5]
用于气体传感器的场效应晶体管
[P].
A.克劳斯
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A.克劳斯
;
W.达维斯
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W.达维斯
.
中国专利
:CN102375014A
,2012-03-14
[6]
基于薄膜场效应晶体管的气体传感器件及其制备方法
[P].
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机构:
刘欢
;
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机构:
李华曜
;
唐艳婷
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华中科技大学
华中科技大学
唐艳婷
;
邢颖颖
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华中科技大学
华中科技大学
邢颖颖
;
毛镕煜
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
毛镕煜
.
中国专利
:CN119804596B
,2025-12-30
[7]
基于薄膜场效应晶体管的气体传感器件及其制备方法
[P].
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机构:
刘欢
;
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机构:
李华曜
;
唐艳婷
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
唐艳婷
;
邢颖颖
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华中科技大学
华中科技大学
邢颖颖
;
毛镕煜
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
毛镕煜
.
中国专利
:CN119804596A
,2025-04-11
[8]
一种场效应晶体管丙酮气体传感器及其制备方法
[P].
李俊
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李俊
;
陈琦
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陈琦
;
张志林
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张志林
;
张建华
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张建华
.
中国专利
:CN111610234B
,2020-09-01
[9]
有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法
[P].
于军胜
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于军胜
;
施薇
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施薇
;
王煦
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王煦
;
韩世蛟
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韩世蛟
.
中国专利
:CN104849336A
,2015-08-19
[10]
场效应晶体管液体传感器及其制备方法
[P].
罗卫军
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罗卫军
;
陈晓娟
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陈晓娟
;
袁婷婷
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袁婷婷
;
庞磊
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庞磊
;
刘新宇
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刘新宇
.
中国专利
:CN103928525A
,2014-07-16
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