基于薄膜场效应晶体管的气体传感器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411985418.2

申请日：

2024-12-31

公开(公告)号：

CN119804596A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

刘欢李华曜唐艳婷邢颖颖毛镕煜

申请人：

华中科技大学

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

G01N27/414

IPC分类号：

H10D30/67

代理机构：

武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267

代理人：

郭志霄

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-30	授权	授权
2025-04-11	公开	公开
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 27/414申请日:20241231

共 50 条

[1]

基于薄膜场效应晶体管的气体传感器件及其制备方法 [P].

刘欢 ;

李华曜 ;

唐艳婷 ;

邢颖颖 ;

毛镕煜 .

中国专利 :CN119804596B ,2025-12-30

[2]

薄膜场效应晶体管器件及其制备方法 [P].

李延钊 .

中国专利 :CN102646592A ,2012-08-22

[3]

基于场效应晶体管的气体传感器及其制备方法 [P].

王超 ;

李向光 ;

田峻瑜 ;

方华斌 .

中国专利 :CN112881477A ,2021-06-01

[4]

一种薄膜场效应晶体管型气体传感器及其制备方法 [P].

刘欢 ;

唐江 ;

张建兵 ;

刘竞尧 ;

胡志响 ;

易飞 ;

张光祖 .

中国专利 :CN108447915B ,2018-08-24

[5]

场效应晶体管型气体传感器及其制备方法 [P].

季涛 ;

胡燕文 ;

卢国佳 ;

和树庆 .

中国专利 :CN120084857A ,2025-06-03

[6]

基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法 [P].

王凤霞 ;

潘革波 .

中国专利 :CN103500798A ,2014-01-08

[7]

场效应晶体管、气体传感器及其制造方法 [P].

鹈饲顺三 ;

汐月大志 ;

南豪 ;

佐佐木由比 .

中国专利 :CN113540351A ,2021-10-22

[8]

场效应晶体管气体传感器及其制造方法 [P].

梁圣法 ;

李冬梅 ;

刘明 ;

谢常青 ;

陈鑫 ;

詹爽 .

中国专利 :CN103308584A ,2013-09-18

[9]

用于气体传感器的场效应晶体管 [P].

A.克劳斯 ;

W.达维斯 .

中国专利 :CN102375014A ,2012-03-14

[10]

薄膜场效应晶体管 [P].

張驄瀧 .

中国专利 :CN202332863U ,2012-07-11

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