一种化学液相法制备硒化铅薄膜的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201910002563.7
申请日
2019-01-02
公开(公告)号
CN109721036A
公开(公告)日
2019-05-07
发明(设计)人
刘琳 庞晓露 高克玮 杨会生
申请人
申请人地址
100083 北京市海淀区学院路30号
IPC主分类号
C01B1904
IPC分类号
代理机构
北京市广友专利事务所有限责任公司 11237
代理人
张仲波
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
一种化学液相法制备碲化铅薄膜的方法 [P]. 
石磊 ;
孙喜桂 ;
王建鹏 ;
陈婧瑶 ;
乔雪 ;
张栗柱 ;
柯嘉辉 ;
汪嘉一 .
中国专利 :CN109592652A ,2019-04-09
[2]
一种化学液相法制备硫化铅薄膜的方法 [P]. 
石磊 ;
孙喜桂 ;
沈向丞 ;
张艺宁 ;
张云瑞 ;
吴晔 ;
巩鑫宇 ;
刘科高 .
中国专利 :CN109559977A ,2019-04-02
[3]
一种碲化铅薄膜 [P]. 
孙喜桂 ;
石磊 ;
王建鹏 ;
张云瑞 ;
张艺宁 ;
乔雪 ;
巩鑫宇 ;
沈向丞 .
中国专利 :CN109592651A ,2019-04-09
[4]
有机相法制备纳米材料硒化铅的方法 [P]. 
郑建邦 ;
屈俊荣 ;
吴广荣 ;
王春锋 ;
郝娟 ;
曹崇德 .
中国专利 :CN103172039A ,2013-06-26
[5]
水相法制备纳米材料硒化铅的方法 [P]. 
郑建邦 ;
郝娟 ;
王春锋 ;
屈俊荣 ;
吴广荣 ;
曹崇德 .
中国专利 :CN102795605A ,2012-11-28
[6]
利用微波等离子体化学气相沉积法制备硒化铅薄膜的方法 [P]. 
于乐泳 ;
冯双龙 ;
魏兴战 ;
史浩飞 .
中国专利 :CN112017945B ,2020-12-01
[7]
一种硫化铅薄膜 [P]. 
孙喜桂 ;
石磊 ;
张艺宁 ;
张云瑞 ;
王建鹏 ;
汪嘉一 .
中国专利 :CN109280906A ,2019-01-29
[8]
一种硒化铅半导体薄膜的制备方法 [P]. 
罗飞 ;
刘大博 .
中国专利 :CN102517552A ,2012-06-27
[9]
一种硒化铅薄膜的合成方法 [P]. 
汪元元 .
中国专利 :CN108584890A ,2018-09-28
[10]
一种分层多晶硒化铅光电薄膜及其制备方法 [P]. 
祝园 ;
刘军林 ;
刘桂武 ;
乔冠军 ;
张相召 ;
吕全江 ;
侯海港 ;
杨建 .
中国专利 :CN113345972A ,2021-09-03