一种硒化铅薄膜的合成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810722207.8

申请日：

2018-06-26

公开(公告)号：

CN108584890A

公开(公告)日：

2018-09-28

发明(设计)人：

汪元元

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区丹霞路北、翡翠路西合肥大学城商业中心商办楼5F创客空间210号

IPC主分类号：

C01B1904

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-28	公开	公开
2018-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 19/04 申请日:20180626
2021-07-23	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C01B 19/04 申请公布日:20180928

共 50 条

[1]

纳米硒化铅的电子束辐照合成方法 [P].

吴明红 ;

赵兵 ;

焦正 ;

王昊博 ;

李珍 ;

孙昱飞 .

中国专利 :CN101070183B ,2007-11-14

[2]

一种硒化铅复杂微米结构的合成方法 [P].

曹化强 ;

肖育江 ;

刘开宇 .

中国专利 :CN101597033A ,2009-12-09

[3]

一种化学液相法制备硒化铅薄膜的方法 [P].

刘琳 ;

庞晓露 ;

高克玮 ;

杨会生 .

中国专利 :CN109721036A ,2019-05-07

[4]

一种硒化铅半导体薄膜的制备方法 [P].

罗飞 ;

刘大博 .

中国专利 :CN102517552A ,2012-06-27

[5]

一种分层多晶硒化铅光电薄膜及其制备方法 [P].

祝园 ;

刘军林 ;

刘桂武 ;

乔冠军 ;

张相召 ;

吕全江 ;

侯海港 ;

杨建 .

中国专利 :CN113345972A ,2021-09-03

[6]

一种分层多晶硒化铅光电薄膜及其制备方法 [P].

祝园 ;

刘军林 ;

刘桂武 ;

乔冠军 ;

张相召 ;

吕全江 ;

侯海港 ;

杨建 .

中国专利 :CN113345972B ,2024-05-14

[7]

一种硫化铅纳米块的合成方法 [P].

曹化强 ;

王国志 ;

刘向文 .

中国专利 :CN1817798A ,2006-08-16

[8]

一种硒化铅光电导探测器及其制备方法 [P].

冯双龙 ;

陈实 .

中国专利 :CN118198181A ,2024-06-14

[9]

一种基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器 [P].

陈明敬 ;

宋宇航 ;

陈旭阳 ;

张子才 ;

闫国英 ;

方立德 .

中国专利 :CN113206184A ,2021-08-03

[10]

硒化铅的制备方法 [P].

文崇斌 ;

朱刘 ;

童培云 .

中国专利 :CN118771316A ,2024-10-15

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