一种分层多晶硒化铅光电薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110302121.1

申请日：

2021-03-22

公开(公告)号：

CN113345972B

公开(公告)日：

2024-05-14

发明(设计)人：

祝园刘军林刘桂武乔冠军张相召吕全江侯海港杨建

申请人：

江苏大学

申请人地址：

212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

IPC主分类号：

H01L31/032

IPC分类号：

H01L31/18

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省镇江市

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种分层多晶硒化铅光电薄膜及其制备方法 [P].

祝园 ;

刘军林 ;

刘桂武 ;

乔冠军 ;

张相召 ;

吕全江 ;

侯海港 ;

杨建 .

中国专利 :CN113345972A ,2021-09-03

[2]

硒化铅光敏薄膜及可集成光电导传感器的制备方法 [P].

古瑞琴 ;

高胜国 ;

汪静 ;

郭海周 ;

杨志博 .

中国专利 :CN114284152A ,2022-04-05

[3]

一种硒化铅光电导探测器及其制备方法 [P].

冯双龙 ;

陈实 .

中国专利 :CN118198181A ,2024-06-14

[4]

一种硒化铅薄膜的合成方法 [P].

汪元元 .

中国专利 :CN108584890A ,2018-09-28

[5]

一种硒化铅半导体薄膜的制备方法 [P].

罗飞 ;

刘大博 .

中国专利 :CN102517552A ,2012-06-27

[6]

一种化学液相法制备硒化铅薄膜的方法 [P].

刘琳 ;

庞晓露 ;

高克玮 ;

杨会生 .

中国专利 :CN109721036A ,2019-05-07

[7]

一种基于氧离子束辅助沉积制备硒化铅多晶薄膜的方法 [P].

梅霆 ;

杨颢 ;

郑建邦 ;

陈磊 ;

刘旻 ;

张文定 .

中国专利 :CN105200518A ,2015-12-30

[8]

硒化铅纳米晶及其制备方法 [P].

费广涛 ;

仲斌年 .

中国专利 :CN106829882A ,2017-06-13

[9]

硒化铅的制备方法 [P].

文崇斌 ;

朱刘 ;

童培云 .

中国专利 :CN118771316A ,2024-10-15

[10]

一种多晶硒薄膜及其制备方法和一种太阳能电池 [P].

胡劲松 ;

薛丁江 ;

路文博 .

中国专利 :CN115084290A ,2022-09-20

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