一种半导体器件模型参数的优化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011528124.9

申请日：

2020-12-22

公开(公告)号：

CN112560376A

公开(公告)日：

2021-03-26

发明(设计)人：

余小兵樊晓斌朱艳

申请人：

申请人地址：

610200 四川省成都市双流区银河路596号科研综合楼13层

IPC主分类号：

G06F303308

IPC分类号：

代理机构：

北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467

代理人：

王金双

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-26	公开	公开
2021-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 30/3308 申请日:20201222

共 50 条

[1]

一种半导体器件模型自适应参数提取方法 [P].

韩汝琦 ;

吴涛 ;

杜刚 ;

刘晓彦 .

中国专利 :CN101236572B ,2008-08-06

[2]

一种半导体器件的SSTA模型优化方法 [P].

苏炳熏 ;

杨展悌 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

赵杰 ;

薛静 .

中国专利 :CN113128114A ,2021-07-16

[3]

半导体器件的模型参数提取方法及装置 [P].

张飞翔 ;

余学儒 ;

李琛 ;

陈保安 ;

张娟 .

中国专利 :CN120180846A ,2025-06-20

[4]

一种半导体工艺优化方法以及半导体器件 [P].

高斌斌 ;

吴永玉 .

中国专利 :CN121171885A ,2025-12-19

[5]

一种半导体器件参数提取装置及方法 [P].

刘洪刚 ;

刘桂明 ;

常虎东 ;

周佳辉 .

中国专利 :CN104573283B ,2015-04-29

[6]

优化寄生参数的功率半导体器件封装结构 [P].

龚伟 ;

朱春林 ;

姜克 .

中国专利 :CN115411018A ,2022-11-29

[7]

一种半导体器件模型的建模方法及装置 [P].

卜建辉 ;

王成成 ;

李垌帅 ;

刘海南 ;

曾传滨 ;

韩郑生 ;

罗家俊 .

中国专利 :CN111680465A ,2020-09-18

[8]

一种半导体器件模型的建模方法及装置 [P].

卜建辉 ;

王成成 ;

李垌帅 ;

刘海南 ;

曾传滨 ;

韩郑生 ;

罗家俊 .

中国专利 :CN111680465B ,2024-12-17

[9]

一种半导体器件测试优化方法 [P].

冯宇翔 ;

李斌 ;

单联瑜 ;

潘开林 ;

华庆 ;

李强 ;

盛爽 ;

谭均必 ;

文健 ;

牛冰 ;

郭家杰 ;

谢颖熙 .

中国专利 :CN119322246A ,2025-01-17

[10]

EMI优化的半导体器件 [P].

何军 ;

华路佳 .

中国专利 :CN119181716A ,2024-12-24

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