一种半导体器件的SSTA模型优化方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110411630.8
申请日
2021-04-16
公开(公告)号
CN113128114A
公开(公告)日
2021-07-16
发明(设计)人
苏炳熏 杨展悌 叶甜春 罗军 赵杰 薛静
申请人
申请人地址
510535 广东省广州市开发区开源大道136号A栋
IPC主分类号
G06F3027
IPC分类号
代理机构
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260
代理人
朱晓林
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体器件模型参数的优化方法 [P]. 
余小兵 ;
樊晓斌 ;
朱艳 .
中国专利 :CN112560376A ,2021-03-26
[2]
一种制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
闫一方 .
中国专利 :CN110752206A ,2020-02-04
[3]
一种半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
冯霞 ;
黄河 ;
刘煊杰 ;
张海芳 ;
吴秉寰 .
中国专利 :CN105097852A ,2015-11-25
[4]
一种半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
黄河 ;
李海艇 ;
金兴成 ;
汪新学 ;
赵洪波 ;
陈福成 ;
向阳辉 .
中国专利 :CN104752313B ,2015-07-01
[5]
半导体器件的制造方法、半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111106113A ,2020-05-05
[6]
一种半导体工艺优化方法以及半导体器件 [P]. 
高斌斌 ;
吴永玉 .
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[7]
一种半导体器件及半导体器件制备方法 [P]. 
闫书萌 ;
程川 ;
陈利杰 .
中国专利 :CN118943172A ,2024-11-12
[8]
一种半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
李典 ;
朱名杰 .
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[9]
一种半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
张盖 ;
张安 ;
晏荣伟 ;
张得亮 ;
王雪 ;
井壮 .
中国专利 :CN120711764A ,2025-09-26
[10]
一种半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
张盖 ;
张安 ;
晏荣伟 ;
张得亮 ;
王雪 ;
井壮 .
中国专利 :CN120711764B ,2025-11-18