一种半导体器件的制造方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310743202.0

申请日：

2013-12-27

公开(公告)号：

CN104752313B

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

黄河李海艇金兴成汪新学赵洪波陈福成向阳辉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2184 H01L2712

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

高伟;赵礼杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-01	公开	公开
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618659541 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2013107432020 申请日:20131227
2020-11-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN110880473B ,2025-02-25

[2]

半导体器件、半导体器件制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110880473A ,2020-03-13

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

C.坎彭 ;

A.迈泽 .

中国专利 :CN103915499A ,2014-07-09

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

A.迈泽 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN103855221A ,2014-06-11

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

A.迈泽 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN103855222A ,2014-06-11

[6]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

八木下淳史 ;

斋藤友博 .

中国专利 :CN1235291C ,2003-10-22

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

真利子岳比郎 ;

冈本康宏 ;

长濑仙一郎 .

中国专利 :CN115642172A ,2023-01-24

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

T·施勒塞尔 ;

A·梅瑟 .

中国专利 :CN105470140B ,2016-04-06

[10]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

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