一种制造半导体器件的方法和半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911028418.2
申请日
2019-10-28
公开(公告)号
CN110752206A
公开(公告)日
2020-02-04
发明(设计)人
闫一方
申请人
申请人地址
221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路88号
IPC主分类号
H01L2360
IPC分类号
代理机构
北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589
代理人
王志敏
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
陈永凯 .
美国专利 :CN117410829A ,2024-01-16
[2]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
夏军 ;
白世杰 .
中国专利 :CN116096224B ,2025-08-29
[3]
半导体器件制造方法与半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111106106A ,2020-05-05
[4]
半导体器件制造方法与半导体器件 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN111106106B ,2025-02-25
[5]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110880473B ,2025-02-25
[6]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110880473A ,2020-03-13
[7]
半导体器件的制造方法、半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111106113A ,2020-05-05
[8]
一种半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
冯霞 ;
黄河 ;
刘煊杰 ;
张海芳 ;
吴秉寰 .
中国专利 :CN105097852A ,2015-11-25
[9]
一种半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
袁可方 ;
罗杰 .
中国专利 :CN110896051B ,2020-03-20
[10]
一种半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
张海洋 ;
刘少雄 .
中国专利 :CN109698119B ,2019-04-30