一种半导体器件的制作方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511156652.9

申请日：

2025-08-19

公开(公告)号：

CN120711764A

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

张盖张安晏荣伟张得亮王雪井壮

申请人：

合肥晶合集成电路股份有限公司

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60

代理机构：

上海汉之律师事务所 31378

代理人：

李友智

法律状态：

公开

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	公开	公开
2025-11-18	授权	授权
2025-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250819

共 50 条

[1]

一种半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

张盖 ;

张安 ;

晏荣伟 ;

张得亮 ;

王雪 ;

井壮 .

中国专利 :CN120711764B ,2025-11-18

[2]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

胡玉栋 .

中国专利 :CN117457476A ,2024-01-26

[3]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

宁红岩 .

中国专利 :CN119812108A ,2025-04-11

[4]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

刘俊文 ;

叶菲 .

中国专利 :CN119789441A ,2025-04-08

[5]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

丁浩 ;

张旭 ;

周强 .

中国专利 :CN119789455A ,2025-04-08

[6]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

周玉 ;

刘天建 ;

胡胜 ;

赵长林 ;

胡杏 .

中国专利 :CN109166822A ,2019-01-08

[7]

半导体器件及半导体器件制作方法 [P].

林志东 ;

魏鸿基 ;

张永明 .

中国专利 :CN110571283A ,2019-12-13

[8]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

胡良斌 ;

朱红波 .

中国专利 :CN114975230B ,2022-11-15

[9]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 ;

赫文振 ;

周纪 .

中国专利 :CN120730802B ,2025-11-25

[10]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

高吴昊 ;

吴毅锋 ;

曾凡明 .

中国专利 :CN118800656A ,2024-10-18

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