半导体器件制作方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411259730.3

申请日：

2024-09-10

公开(公告)号：

CN118800656A

公开(公告)日：

2024-10-18

发明(设计)人：

高吴昊吴毅锋曾凡明

申请人：

珠海镓未来科技有限公司

申请人地址：

519000 广东省珠海市横琴新区环岛东路3018号2309办公

IPC主分类号：

H01L21/335

IPC分类号：

H01L29/40 H01L29/778

代理机构：

深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙) 44526

代理人：

王攀

法律状态：

授权

国省代码：

广东省珠海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-19	授权	授权
2024-10-18	公开	公开
2024-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/335申请日:20240910
2025-01-17	专利权质押登记、变更及注销	专利权质押登记IPC(主分类):H01L 21/335登记号:Y2024980060548登记日:20241231出质人:珠海镓未来科技有限公司质权人:厦门国际银行股份有限公司珠海分行发明名称:半导体器件制作方法及半导体器件申请日:20240910授权公告日:20241119

共 50 条

[1]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

高吴昊 ;

吴毅锋 ;

曾凡明 .

中国专利 :CN118800656B ,2024-11-19

[2]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

丁浩 ;

张旭 ;

周强 .

中国专利 :CN119789455A ,2025-04-08

[3]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

高健 ;

刘磊 ;

刘达 .

中国专利 :CN105097930A ,2015-11-25

[4]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

周玉 ;

刘天建 ;

胡胜 ;

赵长林 ;

胡杏 .

中国专利 :CN109166822A ,2019-01-08

[5]

半导体器件及半导体器件制作方法 [P].

林志东 ;

魏鸿基 ;

张永明 .

中国专利 :CN110571283A ,2019-12-13

[6]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

胡良斌 ;

朱红波 .

中国专利 :CN114975230B ,2022-11-15

[7]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 ;

赫文振 ;

周纪 .

中国专利 :CN120730802B ,2025-11-25

[8]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 ;

赫文振 ;

周纪 .

中国专利 :CN120730802A ,2025-09-30

[9]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

李少剑 ;

蔡建祥 .

中国专利 :CN119521701A ,2025-02-25

[10]

半导体器件、半导体芯片及半导体器件制作方法 [P].

裴轶 ;

亢国纯 ;

孙琳琳 .

中国专利 :CN110416296A ,2019-11-05

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