半导体器件的制作方法及半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410220039.4
申请日
2014-05-22
公开(公告)号
CN105097930A
公开(公告)日
2015-11-25
发明(设计)人
高健 刘磊 刘达
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2906 H01L21336
代理机构
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
吴贵明;张永明
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件制作方法及半导体器件 [P]. 
高吴昊 ;
吴毅锋 ;
曾凡明 .
中国专利 :CN118800656A ,2024-10-18
[2]
半导体器件制作方法及半导体器件 [P]. 
高吴昊 ;
吴毅锋 ;
曾凡明 .
中国专利 :CN118800656B ,2024-11-19
[3]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
张金霜 ;
李绍斌 ;
杨芸 .
中国专利 :CN105575799B ,2016-05-11
[4]
半导体器件制作方法及半导体器件 [P]. 
周玉 ;
刘天建 ;
胡胜 ;
赵长林 ;
胡杏 .
中国专利 :CN109166822A ,2019-01-08
[5]
半导体器件及半导体器件制作方法 [P]. 
林志东 ;
魏鸿基 ;
张永明 .
中国专利 :CN110571283A ,2019-12-13
[6]
半导体器件制作方法及半导体器件 [P]. 
胡良斌 ;
朱红波 .
中国专利 :CN114975230B ,2022-11-15
[7]
半导体器件制作方法及半导体器件 [P]. 
运广涛 ;
苏圣哲 ;
罗钦贤 ;
赫文振 ;
周纪 .
中国专利 :CN120730802B ,2025-11-25
[8]
半导体器件制作方法及半导体器件 [P]. 
运广涛 ;
苏圣哲 ;
罗钦贤 ;
赫文振 ;
周纪 .
中国专利 :CN120730802A ,2025-09-30
[9]
半导体器件制作方法及半导体器件 [P]. 
李少剑 ;
蔡建祥 .
中国专利 :CN119521701A ,2025-02-25
[10]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
曾甜 ;
占迪 ;
叶国梁 .
中国专利 :CN112542378B ,2024-03-26