半导体器件的制作方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410542129.5

申请日：

2014-10-14

公开(公告)号：

CN105575799B

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

张金霜李绍斌杨芸

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L218239 H01L2710

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

吴贵明;张永明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	公开	公开
2018-07-24	授权	授权
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663895851 IPC(主分类):H01L 21/324 专利申请号:2014105421295 申请日:20141014

共 50 条

[1]

半导体器件的制作方法以及半导体器件 [P].

李渊 ;

游咏晞 .

中国专利 :CN117613003B ,2024-04-16

[2]

半导体器件的制作方法以及半导体器件 [P].

李渊 ;

游咏晞 .

中国专利 :CN117613003A ,2024-02-27

[3]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN105575901A ,2016-05-11

[4]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 ;

赫文振 ;

周纪 .

中国专利 :CN120730802B ,2025-11-25

[5]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 ;

赫文振 ;

周纪 .

中国专利 :CN120730802A ,2025-09-30

[6]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

贺吉伟 ;

王刚宁 ;

朱岩岩 ;

刘丽 ;

冯喆韻 ;

蒲贤勇 ;

孙涛 .

中国专利 :CN105336681A ,2016-02-17

[7]

半导体器件及半导体器件的制作方法 [P].

杨冬 ;

顾子琨 ;

苏奕哲 ;

谢明达 ;

白雅桀 .

中国专利 :CN119384881A ,2025-01-28

[8]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

蒲月皎 ;

宋化龙 .

中国专利 :CN105261557A ,2016-01-20

[9]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

肖梦 ;

刘隆冬 ;

吴建中 ;

长江 .

中国专利 :CN114005837A ,2022-02-01

[10]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

李思晢 .

中国专利 :CN112310105B ,2021-02-02

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